本發(fā)明涉及一種超連續(xù)譜或?qū)拵л椛湓?，并且具體地涉及有關(guān)集成電路制造中的量測應(yīng)用的這樣的寬帶輻射源。
背景技術(shù)：
1、光刻設(shè)備是被構(gòu)造成將期望的圖案施加至襯底上的機(jī)器。光刻設(shè)備可以用于（例如）集成電路（ic）的制造中。光刻設(shè)備可以例如將圖案形成裝置（例如，掩模）處的圖案（也常常稱為“設(shè)計(jì)布局”或“設(shè)計(jì)”）投影至設(shè)置在襯底（例如，晶片）上的輻射敏感材料（抗蝕劑）層上。
2、為了將圖案投影在襯底上，光刻設(shè)備可以使用電磁輻射。這種輻射的波長確定可以形成在襯底上的特征的最小大小。當(dāng)前使用的典型波長是365?nm（i線）、248?nm、193?nm和13.5?nm。相比于使用例如具有193?nm的波長的輻射的光刻設(shè)備，使用具有在4?nm至20nm的范圍內(nèi)的波長（例如6.7?nm或13.5?nm）的極紫外（euv）輻射的光刻設(shè)備可以用于在襯底上形成較小特征。
3、低k1光刻可以用于處理尺寸小于光刻設(shè)備的經(jīng)典分辨率極限的特征。在這樣的過程中，可以將分辨率公式表達(dá)為cd?=?k1×λ/na，其中，λ是所使用的輻射的波長，na是光刻設(shè)備中的投影光學(xué)器件的數(shù)值孔徑，cd是“臨界尺寸”（通常是所印制的最小特征大小，但在這種情況下是半節(jié)距）且k1是經(jīng)驗(yàn)分辨率因子。通常，k1越小，則越難以在襯底上再現(xiàn)類似于由電路設(shè)計(jì)者規(guī)劃的形狀和尺寸以便實(shí)現(xiàn)特定電功能性和性能的圖案。為了克服這些困難，可以將復(fù)雜的微調(diào)步驟應(yīng)用于光刻投影設(shè)備和/或設(shè)計(jì)布局。這些步驟包括例如但不限于na的優(yōu)化、定制照射方案、使用相移圖案形成裝置、例如設(shè)計(jì)布局中的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正（opc，有時(shí)也被稱為“光學(xué)和過程校正”）的設(shè)計(jì)布局的各種優(yōu)化，或通常被定義為“分辨率增強(qiáng)技術(shù)”（ret）的其它方法。替代地，用于控制光刻設(shè)備的穩(wěn)定性的嚴(yán)格控制回路可以用于改善在低k1下的圖案的再現(xiàn)。
4、量測工具被用于ic制造過程的許多方面中，例如作為用于在曝光之前適當(dāng)定位襯底的對準(zhǔn)工具，用于測量所述襯底的表面形貌的水平測量工具或調(diào)平工具，用于例如在過程控制中檢查/測量經(jīng)曝光和/或經(jīng)蝕刻的產(chǎn)品的基于聚焦控制和散射測量的工具。在每種情況下，都需要輻射源。出于不同原因，包括測量魯棒性即穩(wěn)定性、以及準(zhǔn)確度，寬帶或白光輻射源越來越被用于這些量測應(yīng)用。將會(huì)期望對目前器件進(jìn)行改善以用于寬帶輻射生成。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、在本發(fā)明的第一方面中，提供一種用于生成輸出寬帶輻射的寬帶輻射源，包括串聯(lián)布置的多個(gè)超連續(xù)譜生成級，每個(gè)所述超連續(xù)譜生成級包括相應(yīng)的非線性生成元件；其中所述多個(gè)超連續(xù)譜生成級包括至少第一超連續(xù)譜生成級和第二超連續(xù)譜生成級，在所述串聯(lián)中，所述第二超連續(xù)譜生成級在所述第一超連續(xù)譜生成級之后；并且其中被包括在所述第一超連續(xù)譜生成級內(nèi)的第一非線性生成元件的損壞容許度大于被包括在所述第二超連續(xù)譜生成級內(nèi)的至少第二非線性生成元件的損壞容許度。
2、在本發(fā)明的第二方面中，提供一種用于生成輸出寬帶輻射的寬帶輻射源，包括串聯(lián)布置的多個(gè)超連續(xù)譜生成級，每個(gè)所述超連續(xù)譜生成級包括相應(yīng)的非線性生成元件；其中所述多個(gè)超連續(xù)譜生成級包括至少第一超連續(xù)譜生成級和第二超連續(xù)譜生成級，在所述串聯(lián)中，所述第二超連續(xù)譜生成級在所述第一超連續(xù)譜生成級之后；并且其中被包括在所述第一超連續(xù)譜生成級內(nèi)的第一非線性生成元件的光學(xué)非線性低于被包括在所述第二超連續(xù)譜生成級內(nèi)的至少第二非線性生成元件的光學(xué)非線性。
3、本發(fā)明的其它方面包括量測裝置，所述量測裝置包括第一方面或第二方面的寬帶輻射源裝置。
1.一種用于生成輸出寬帶輻射的寬帶輻射源，包括串聯(lián)布置的多個(gè)超連續(xù)譜生成級，每個(gè)所述超連續(xù)譜生成級包括相應(yīng)的非線性生成元件；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，其中，所述第一超連續(xù)譜生成級被布置成生成第一超連續(xù)譜，并且將所述第一超連續(xù)譜提供至所述第二超連續(xù)譜生成級，以便生成第二超連續(xù)譜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寬帶輻射源，還包括激光輻射源，所述激光輻射源被布置成向所述第一超連續(xù)譜生成級提供激光輻射，以便生成所述第一超連續(xù)譜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，其中，所述第二超連續(xù)譜生成級為最終超連續(xù)譜生成級，使得所述輸出寬帶輻射包括所述第二超連續(xù)譜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，還包括一個(gè)或更多個(gè)其它超連續(xù)譜生成級，其中，所述第二超連續(xù)譜被提供至所述一個(gè)或更多個(gè)其它超連續(xù)譜生成級中的下一相繼的超連續(xù)譜生成級，使得在最終超連續(xù)譜生成級之前的每個(gè)接續(xù)的超連續(xù)譜生成級生成用于所述串聯(lián)中的下一超連續(xù)譜生成級的超連續(xù)譜，所述輸出寬帶輻射包括來自所述最終超連續(xù)譜生成級的超連續(xù)譜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的寬帶輻射源，其中，在所述第二超連續(xù)譜生成級之后的每個(gè)接續(xù)的超連續(xù)譜生成級包括相應(yīng)的非線性生成元件，所述相應(yīng)的非線性生成元件的損壞容許度低于或等于緊接的前一超連續(xù)譜生成級的所述非線性生成元件的損壞容許度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的寬帶輻射源，包括在至少所述第一超連續(xù)譜生成級與所述第二超連續(xù)譜生成級之間的自由空間耦合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，包括在所述第一超連續(xù)譜生成級與所述第二超連續(xù)譜生成級之間的基于光纖的耦合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，其中，至少所述第一非線性生成元件包括中空芯部光纖。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的寬帶輻射源，其中，所述中空芯部光纖是中空芯部光子晶體光纖。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，其中，至少所述第一非線性生成元件包括成絲元件，所述成絲元件能夠操作用于經(jīng)由成絲生成超連續(xù)譜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，其中，至少所述第二非線性生成元件包括固體非線性生成元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的寬帶輻射源，其中，所述固體非線性生成元件包括實(shí)心芯部光纖。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的寬帶輻射源，其中，所述固體非線性生成元件包括晶體。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，其中，至少所述第二超連續(xù)譜生成級包括混頻級。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶輻射源，其中，所述多個(gè)超連續(xù)譜生成級每個(gè)都包括相應(yīng)的光纖，每個(gè)光纖具有直徑，對于每個(gè)接續(xù)的超連續(xù)譜生成級而言所述直徑是減小的。
17.一種量測裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射源。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的量測裝置，包括散射儀量測設(shè)備、水平傳感器或?qū)?zhǔn)傳感器。
19.一種檢查設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射源。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的檢查設(shè)備，其中所述檢查設(shè)備被構(gòu)造成識別襯底上的缺陷。