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一種新型單相鉬酸鹽陶瓷材料及其制備方法

文檔序號(hào):42591392發(fā)布日期:2025-07-29 17:43閱讀:15來源:國知局

本發(fā)明涉及電子陶瓷及其制造,具體涉及一種新型單相鉬酸鹽陶瓷材料及其制備方法。


背景技術(shù):

1、通信技術(shù)的進(jìn)步極大地促進(jìn)了微波介質(zhì)陶瓷材料的發(fā)展,特別是通過介質(zhì)諧振器在小型化、便攜性、高頻率和低功耗方面的廣泛應(yīng)用。低溫共燒陶瓷(ltcc)由于能夠在較低溫度下燒結(jié),實(shí)現(xiàn)高集成度,并在高頻通信系統(tǒng)中提供優(yōu)越的性能,已成為電子陶瓷領(lǐng)域的基石。ltcc技術(shù)通過用低熔點(diǎn)電極(如銀(ag))共燒有源和無源元件,實(shí)現(xiàn)小型化和高集成化,從而滿足高頻通信設(shè)備在尺寸、性能和能效方面的苛刻要求。值得注意的是,當(dāng)燒結(jié)溫度不超過950℃時(shí),ltcc材料可以與ag電極共燒,這對(duì)于保證器件的穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。此外,低介電常數(shù)是減輕信號(hào)傳輸延遲的關(guān)鍵,而高質(zhì)量因子(q×f)有效地減少了能量耗散,從而增強(qiáng)了信號(hào)的完整性。諧振頻率的近零溫度系數(shù)保證了高頻應(yīng)用中卓越的穩(wěn)定性和精度。因此,開發(fā)具有低介電常數(shù)、高q×f和諧振頻率接近零溫度系數(shù)的ltcc材料對(duì)于推進(jìn)下一代高性能電子器件至關(guān)重要。

2、在眾多的電子陶瓷中,鉬酸鹽基陶瓷因其具有低介電損耗和低介電常數(shù)受到廣泛的關(guān)注,并在電子元件的制造中發(fā)揮了重要作用。其中,srmoo4具有良好的微波介電性能:εr≈9.49,q×f≈61000ghz,τf=-67.17ppm/℃。然而,其較高的燒結(jié)溫度和較低的諧振頻率溫度系數(shù)對(duì)ltcc的應(yīng)用提出了挑戰(zhàn)。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)上述問題,本發(fā)明旨在改善srmoo4基陶瓷的介電性能,開發(fā)一種具有低介電常數(shù)、高品質(zhì)因數(shù)和近零的諧振頻率溫度系數(shù)陶瓷材料,提供了一種新型單相鉬酸鹽陶瓷材料及其制備方法。

2、本發(fā)明采用下述的技術(shù)方案:

3、1、一種新型單相鉬酸鹽陶瓷材料,材料的化學(xué)通式為sr0.5ca0.5moo4,其原料組成為srco3,caco3和moo3,通過固相法合成:當(dāng)燒結(jié)溫度為950℃時(shí),具有低介電常數(shù)(εr=10.15),近0諧振頻率溫度系數(shù)(-8.55ppm/℃),高品質(zhì)因子(99928ghz)。

4、具體制備方法如下:

5、步驟1:將高純srco3,caco3和moo3的原始粉料按照化學(xué)式sr0.5ca0.5moo4進(jìn)行配料;

6、步驟2:將步驟1制備的配料按照粉料、氧化鋯球、蒸餾水質(zhì)量比為1:5:1進(jìn)行球磨8小時(shí),取出后在110℃下烘干,以200目篩網(wǎng)過篩。將過篩之后的粉末置于高溫馬弗爐中在650℃下預(yù)燒4小時(shí)。預(yù)燒之后的粉末再進(jìn)行8h球磨,干燥之后,然后添加8%聚乙烯醇水溶液進(jìn)行造粒,用200目篩網(wǎng)過篩,以保證顆粒細(xì)小均勻;

7、步驟3:使用壓片機(jī)將造粒的粉料在20mpa下壓制成12mm×6mm的圓柱體,將壓好的圓柱體置于馬弗爐中在650℃保溫兩小時(shí)進(jìn)行排膠,隨后在850-950℃下燒結(jié)4h,得到單相鉬酸鹽陶瓷材料。

8、本發(fā)明通過摻雜讓陶瓷具有嚴(yán)重的晶格畸變和微觀應(yīng)變,高的晶格畸變和微觀應(yīng)變能夠有利于提高諧振頻率溫度系數(shù)。a位陽離子的晶格畸變能夠有效的降低其燒結(jié)溫度,使其滿足ltcc的需要。在摻雜的同時(shí),離子擴(kuò)散路徑和增加擴(kuò)散勢(shì)壘使得離子擴(kuò)散被抑制,產(chǎn)生滯后擴(kuò)散的現(xiàn)象。滯后的擴(kuò)散能夠有效的降低遷移損耗,來彌補(bǔ)嚴(yán)重晶格畸變達(dá)到的損耗增加。當(dāng)陶瓷燒結(jié)溫度達(dá)到950℃時(shí),最終制得了一種新型單相鉬酸鹽陶瓷材料。

9、制備方法為傳統(tǒng)無壓燒結(jié),在成本較低、工藝簡(jiǎn)單的前提下,可以大幅提升srmoo4的微波介電性能,適用于量產(chǎn)。

10、綜上所述,本發(fā)明提供的新型單相鉬酸鹽陶瓷,具有致密的微觀結(jié)構(gòu),高品質(zhì)因子,低介電常數(shù)和近零的諧振頻率溫度系數(shù),在電子基板應(yīng)用材料方面有很大前景。



技術(shù)特征:

1.一種新型單相鉬酸鹽陶瓷材料,其特征在于,基礎(chǔ)配方為srco3,caco3和moo3,通過固相法制得:具有低介電常數(shù)(εr=10.15),近0諧振頻率溫度系數(shù)(-8.55ppm/℃),高品質(zhì)因子(99928ghz)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型單相鉬酸鹽陶瓷材料的制備方法,其特征在于,具體如下:


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種新型單相鉬酸鹽陶瓷材料及其制備方法,本發(fā)明屬于電子陶瓷及其制造領(lǐng)域,具體涉及一種新型單相鉬酸鹽陶瓷材料及其制備方法。該材料化學(xué)式為Sr<subgt;0.5</subgt;Ca<subgt;0.5</subgt;MoO<subgt;4</subgt;,其原料組成為SrCO<subgt;3</subgt;,CaCO<subgt;3</subgt;,和MoO<subgt;3</subgt;通過固相燒結(jié)法制得:具有低介電常數(shù)(ε<subgt;r</subgt;=10.15),近0諧振頻率溫度系數(shù)(?8.55ppm/℃),高品質(zhì)因子(99928GHz)。本發(fā)明通過在傳統(tǒng)SrMoO<subgt;4</subgt;的基礎(chǔ)上通過Ca元素進(jìn)行A位摻雜,在950℃下進(jìn)行燒結(jié),在保證低介電常數(shù)與低介電損耗的同時(shí),提高諧振頻率溫度系數(shù),適用于電子基板與封裝材料,且制備方法簡(jiǎn)單,易于工業(yè)化生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員:程梓睿,楊羿,李恩竹,李正鑫,馬翼騰,鄧善文,閆宗楷,胡智超
受保護(hù)的技術(shù)使用者:電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/7/28
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