本技術(shù)涉及mems工藝制造領(lǐng)域，具體地說就是一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1、?mems壓力傳感器的壓力敏感元件是mems壓力芯片，mems壓力芯片，一般通過成膜、光刻及蝕刻等工藝在硅襯底上形成平膜、島膜或梁膜結(jié)構(gòu)。其中平膜和島膜結(jié)構(gòu)，是在晶圓背后的表面圖形化介質(zhì)層作為腐蝕掩膜，然后采用koh或tmah溶液腐蝕硅襯底形成的。問題在于，常規(guī)工藝制作的島結(jié)構(gòu)較大，導(dǎo)致芯片尺寸也較大，難以通過腐蝕形成各種形狀的梁和島結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)的大小和厚度不可以自由設(shè)計(jì)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用就是為可服現(xiàn)有技術(shù)中不足，提供一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)。
2、本申請(qǐng)?zhí)峁┮韵录夹g(shù)方案：
3、一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括第一基片，在第一基片上設(shè)有氧化硅圖形層和第一槽體，通過氧化硅圖形層和第一槽體在第一基片底部形成島形結(jié)構(gòu)，在第一基片上表面上設(shè)有上氧化層，在上氧化層下方的第一基片上設(shè)有一組壓敏電阻，在上氧化層上設(shè)有與壓敏電阻對(duì)應(yīng)配合的金屬引線；在氧化硅圖形層上連接有第二基片，在第二基片的底面上設(shè)有下氧化層，在第二基片上設(shè)有貫穿的開孔，所述開孔和第一槽體相互聯(lián)通。
4、在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，還可以有以下進(jìn)一步的技術(shù)方案：
5、所述的開孔分為上下聯(lián)通的兩個(gè)部分，上部分為截面為倒梯形結(jié)構(gòu)的上孔段，下部分為截面為正梯形結(jié)構(gòu)的下孔段，且下孔段的高度大于上孔段的高度。
6、所述的第一槽體為環(huán)形槽。
7、所述島形結(jié)構(gòu)的中心點(diǎn)與第一基片和第二基片的中心點(diǎn)在同一縱向直線上。
8、所述第一基片和第二基片材質(zhì)相同均為soi晶圓的頂層硅部分。
9、實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)：
10、本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制造方便，使得mems壓力芯片背面島結(jié)構(gòu)的尺寸可以比常規(guī)工藝減小很多倍，芯片尺寸也可以大幅縮小，同時(shí)該制備工藝還可以形成常規(guī)工藝難以形成的各種形狀的梁和島結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)的大小和厚度可以自由設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)自由度最大化。
1.一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括第一基片（1），在第一基片（1）上設(shè)有氧化硅圖形層（1a）和第一槽體（1b），通過氧化硅圖形層（1a）和第一槽體（1b）在第一基片（1）底部形成島形結(jié)構(gòu)（1c），在第一基片（1）上表面上設(shè)有上氧化層（114），在上氧化層（114）下方的第一基片（1）上設(shè)有一組壓敏電阻（3），在上氧化層（114）上設(shè)有與壓敏電阻（3）對(duì)應(yīng)配合的金屬引線（4）；在氧化硅圖形層（1a）上連接有第二基片（2），在第二基片（2）的底面上設(shè)有下氧化層（2c），在第二基片（2）上設(shè)有貫穿的開孔（2b），所述開孔（2b）和第一槽體（1b）相互聯(lián)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的開孔（2b）分為上下聯(lián)通的兩個(gè)部分，上部分為截面為倒梯形結(jié)構(gòu)的上孔段（a），下部分為截面為正梯形結(jié)構(gòu)的下孔段（b），且下孔段（b）的高度大于上孔段（a）的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的第一槽體（1b）為環(huán)形槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述島形結(jié)構(gòu)（1c）的中心點(diǎn)與第一基片（1）和第二基片（2）的中心點(diǎn)在同一縱向直線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一基片（1）和第二基片（2）材質(zhì)相同均為soi晶圓的頂層硅部分。