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本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器，尤其涉及一種糾錯(cuò)碼電路、修復(fù)系統(tǒng)及存儲(chǔ)器。、mram是一種新的內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù)，其具有sram/dram一樣快速隨機(jī)讀寫的特點(diǎn)，還具有flash閃存在斷電后永久保留數(shù)據(jù)的功能。mram存儲(chǔ)位元的核心結(jié)構(gòu)為磁性隧道結(jié)，其由兩層鐵磁性材料夾著一層非常薄的非鐵磁絕緣材料組成的，下...

本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤，具體為固態(tài)硬盤的掉落報(bào)警裝置。、隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，固態(tài)硬盤(solid?state?drive，簡(jiǎn)稱ssd)作為一種高性能、高可靠性的存儲(chǔ)設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和存儲(chǔ)設(shè)備中，然而，固態(tài)硬盤的脆弱性也隨之暴露出來(lái)，尤其是在面對(duì)物理沖擊或掉落等意外情況時(shí)，...

本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤領(lǐng)域，具體為一種用于固態(tài)硬盤的導(dǎo)向支撐裝置。、固態(tài)硬盤是一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，它使用固態(tài)電子存儲(chǔ)器芯片陣列來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，固態(tài)硬盤沒有機(jī)械部件，具有更快的讀寫速度、更低的訪問(wèn)時(shí)間、更低的功耗、無(wú)噪音、抗震動(dòng)和較小的尺寸等特點(diǎn)，隨著技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)硬盤的價(jià)格正在逐漸降低，性能也在不...

、本公開涉及存儲(chǔ)裝置及其操作方法。、閃存是一種低成本、高密度、非易失性固態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)，其可以被電擦除和重新編程。閃存包括nor閃存和nand閃存。閃存可以執(zhí)行各種操作，例如讀取、編程(寫入)和擦除。對(duì)于nand閃存，可以在塊級(jí)執(zhí)行擦除操作，并且可以在頁(yè)級(jí)執(zhí)行編程操作或讀取操作。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、...

本技術(shù)涉及移動(dòng)硬盤結(jié)構(gòu)，具體涉及一種pssd結(jié)構(gòu)。、傳統(tǒng)的pssd沒有加密，即便加密，也是采用指紋和應(yīng)用端輸入密碼的普通技術(shù)。采用藍(lán)牙技術(shù)輸入密碼，控制加密芯片工作，對(duì)數(shù)據(jù)加密，即便拆下固態(tài)硬盤(ssd)，數(shù)據(jù)被加密后呈現(xiàn)亂碼，無(wú)法正常讀取有效數(shù)據(jù)。由于采用藍(lán)牙技術(shù)，傳統(tǒng)的全金屬外殼無(wú)法適...

本申請(qǐng)涉及固態(tài)硬盤，尤其涉及一種固態(tài)硬盤、電子組件及電子設(shè)備。、備電是一種數(shù)據(jù)保護(hù)的硬件技術(shù)，在多數(shù)固態(tài)硬盤系統(tǒng)中是必不可少的組成部分。電子設(shè)備對(duì)固態(tài)硬盤系統(tǒng)提供電源，電源通過(guò)備電電源給電源模塊供電，電源模塊進(jìn)行各種電源轉(zhuǎn)換，最終給耗電模塊提供電源。另外，備電電源在給電源模塊供電的同時(shí)，也...

本說(shuō)明書涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的領(lǐng)域。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)，諸如pcm(即相變存儲(chǔ)器)，例如epcm(即嵌入式相變存儲(chǔ)器)和/或epcm?nvm(即非易失性存儲(chǔ)器epcm)。、相變存儲(chǔ)器(稱為pcm)是一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)(即存儲(chǔ)器技術(shù))，并且一般是一種可以被嵌入到集成電路(i...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法及測(cè)試設(shè)備。、隨著科技的進(jìn)步，存儲(chǔ)技術(shù)也在不斷的發(fā)展與創(chuàng)新。由于計(jì)算機(jī)的普及和互聯(lián)網(wǎng)的更新?lián)Q代，存儲(chǔ)技術(shù)也變得越來(lái)越重要。為了滿足用戶生活和工作上的需求，存儲(chǔ)技術(shù)變得越來(lái)越高效、可靠、安全。在存儲(chǔ)裝置的研發(fā)過(guò)程中，測(cè)試是必不可少的重要環(huán)節(jié)...

本公開的實(shí)施方案整體涉及用于磁介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器的磁記錄頭。相關(guān)領(lǐng)域的描述計(jì)算機(jī)的功能和能力的核心是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)寫入到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備諸如磁介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器(例如硬盤驅(qū)動(dòng)器(hdd))。計(jì)算機(jī)所處理的數(shù)據(jù)量在迅速增加。需要磁記錄介質(zhì)的更高記錄密度來(lái)提高計(jì)算機(jī)的功能和能力。為了實(shí)現(xiàn)磁記錄介質(zhì)的更高記錄密度(諸如超...

本發(fā)明大體上涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，并且更具體地，涉及控制磁帶存儲(chǔ)的方法和裝置，所述磁帶存儲(chǔ)具有存儲(chǔ)在由多個(gè)卷帶(wrap)組成的磁帶上的多個(gè)數(shù)據(jù)段。、通常，諸如硬盤、筆式驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)卡等的各種存儲(chǔ)設(shè)備都用于存儲(chǔ)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。此外，對(duì)存儲(chǔ)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的需求正在增加，使得磁帶技術(shù)由于相對(duì)便宜的價(jià)格和長(zhǎng)保留...

本技術(shù)涉及散熱設(shè)備，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的散熱結(jié)構(gòu)。、現(xiàn)有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器通過(guò)單風(fēng)扇負(fù)壓吸氣的方式進(jìn)行散熱，但是通過(guò)單風(fēng)扇散熱時(shí)，存在空氣無(wú)法到達(dá)的散熱死角，容易導(dǎo)致處于散熱死角區(qū)域的芯片宕機(jī)，并且單風(fēng)扇的散熱效率也較為低下，不能充分滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的散熱需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本實(shí)用新型提供一種數(shù)...

本文中所公開的至少一些實(shí)施例大體上涉及存儲(chǔ)器裝置，且更特定來(lái)說(shuō)(但不限于)感測(cè)存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)而不需要對(duì)用于檢測(cè)存儲(chǔ)器單元是否已達(dá)到閾值的位線或其它存取線進(jìn)行預(yù)充電的存儲(chǔ)器裝置。、存儲(chǔ)器裝置廣泛用于將信息存儲(chǔ)在各種電子裝置(例如計(jì)算機(jī)、無(wú)線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器及類似者)中。通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)...

本發(fā)明的示例性實(shí)施例總體上涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，更具體地涉及存儲(chǔ)器單元和陣列結(jié)構(gòu)及相關(guān)工藝。、隨著電子電路的復(fù)雜度和密度不斷提高，存儲(chǔ)器的尺寸、復(fù)雜度和成本成為重要考慮因素。增加存儲(chǔ)器容量的一種方法是使用三維(d)陣列結(jié)構(gòu)。然而，高性價(jià)比的d陣列結(jié)構(gòu)尚未完全實(shí)現(xiàn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、在各種示例性實(shí)施例...

本技術(shù)涉及，具體是一種數(shù)據(jù)管理存儲(chǔ)設(shè)備。、在技術(shù)飛速演進(jìn)的背景下，企業(yè)積累的數(shù)據(jù)量急劇上升，單個(gè)硬盤的容量已無(wú)法滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，為了克服這一難題，公司開始采用數(shù)據(jù)管理存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)集中管理多個(gè)硬盤。、公告號(hào)cnu的一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存管理柜，具體涉及存儲(chǔ)柜，本實(shí)用新型包括存儲(chǔ)柜，所...

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域的一種最大值尋找電路，尤其涉及一種浮點(diǎn)數(shù)指數(shù)最大值尋找電路，還涉及一種存內(nèi)計(jì)算芯片。、存內(nèi)計(jì)算(cim，compute-in-memory)是一種新興的計(jì)算架構(gòu)，旨在將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和計(jì)算過(guò)程緊密結(jié)合，從而減少數(shù)據(jù)傳輸延遲，提高計(jì)算效率。cim技術(shù)通過(guò)將計(jì)算操作直接嵌入存儲(chǔ)...

本技術(shù)涉及存儲(chǔ)器測(cè)試，特別是涉及一種固態(tài)硬盤測(cè)試裝置。、隨著固態(tài)硬盤(solid?state?drive，ssd)的廣泛應(yīng)用與成本降低，市場(chǎng)需求量大幅提升，因而對(duì)固態(tài)硬盤的測(cè)試產(chǎn)能提出了更高的要求。然而，現(xiàn)有測(cè)試設(shè)備通常為單個(gè)或裸pcb測(cè)試板，只能對(duì)單個(gè)固態(tài)硬盤進(jìn)行測(cè)試，存在靜電屏蔽能力與...

本公開的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，并且更具體地，涉及一種具有可變位線電容的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備及其編程方法。、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備可大致分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram))具有快速讀取及寫入速度，但當(dāng)電力供應(yīng)...

本文描述的本公開的示例實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，并且更具體地，涉及一種時(shí)鐘放大器電路和包括該時(shí)鐘放大器電路的存儲(chǔ)器設(shè)備。、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以主要被分類為易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器(例如，dram或sram)的讀取和寫入速度快，但是在電力關(guān)閉時(shí)，存儲(chǔ)在易失性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)...

本公開涉及存儲(chǔ)器裝置、存儲(chǔ)器裝置的字線橋接檢測(cè)器和存儲(chǔ)器裝置的字線橋接檢測(cè)方法。、例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可被分類為易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。通常，當(dāng)與非易失性存儲(chǔ)器相比時(shí)，易失性存儲(chǔ)器（例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dram）或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（sram））可展現(xiàn)較快的讀取速度和/或?qū)懭胨俣?..

本揭示的實(shí)施例是關(guān)于一種偵測(cè)數(shù)據(jù)模式(data?pattern)記憶體電路及其操作方法，特別是關(guān)于一種偵測(cè)數(shù)據(jù)模式的記憶體電路及其操作方法。、記憶體裝置為電子系統(tǒng)的集成組件，以允許快速存取及修改的方式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。傳統(tǒng)上，記憶體裝置已設(shè)計(jì)為在大量記憶體單元中以“”及“”的形式儲(chǔ)存二進(jìn)制信息。歸...