本公開的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，并且更具體地，涉及一種具有可變位線電容的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備及其編程方法。
背景技術(shù)：
1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備可大致分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram))具有快速讀取及寫入速度，但當(dāng)電力供應(yīng)被切斷時(shí)所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。另一方面，非易失性存儲(chǔ)器即使電力供給被切斷也能夠保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
2、快閃存儲(chǔ)器設(shè)備(一種類型的非易失性存儲(chǔ)器)將存儲(chǔ)器單元編程為具有特定閾值電壓以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。換句話說(shuō)，通過存儲(chǔ)器單元的編程，電子被俘獲在構(gòu)成存儲(chǔ)器單元的氮化物膜中。存儲(chǔ)器單元的閾值電壓電平取決于氮化物膜中俘獲的電子量而確定。為了編程存儲(chǔ)器單元，在編程操作期間通過位線、字線、串選擇線等提供偏置。
3、隨著快閃存儲(chǔ)器設(shè)備的代際轉(zhuǎn)變的進(jìn)展，一個(gè)存儲(chǔ)器塊的電容迅速增加。這伴隨著用于配置一個(gè)塊的位線長(zhǎng)度的減少。最終，由金屬線構(gòu)成的位線的電容的降低是不可避免的。位線的電容的減小導(dǎo)致閾值電壓的分布的惡化和編程效率的降低，這最終導(dǎo)致編程性能的降低。因此，需要一種在編程操作期間將穩(wěn)定位線電壓的位線電容控制方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的實(shí)施例提供了一種具有可變位線電容的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備及其編程方法，其克服了隨著位線的尺寸減小而發(fā)生的編程效率的降低。
2、根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，并且該非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備包括：連接到位線的第一存儲(chǔ)器塊；第二存儲(chǔ)器塊，所述第二存儲(chǔ)器塊連接到所述位線并且包括：串選擇線；字線；以及連接到所述串選擇線和所述字線的單元串；行解碼器，所述行解碼器被配置為在所述第一存儲(chǔ)器塊的編程操作期間向所述第二存儲(chǔ)器塊的所述串選擇線中的至少一個(gè)串選擇線提供導(dǎo)通電壓；以及頁(yè)緩沖器，所述頁(yè)緩沖器被配置為在所述編程操作期間對(duì)所述位線執(zhí)行編程或抑制設(shè)置。
3、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種對(duì)非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備進(jìn)行編程的方法，且所述方法包含：設(shè)置包括要編程的目標(biāo)存儲(chǔ)器單元的第一存儲(chǔ)器塊的位線；將連接到所述位線的第二存儲(chǔ)器塊的至少一個(gè)串選擇線設(shè)置為導(dǎo)通電壓；以及將編程電壓施加到所述第一存儲(chǔ)器塊的所述目標(biāo)存儲(chǔ)器單元的字線。
4、根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，并且該非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備包括：第一存儲(chǔ)器塊，所述第一存儲(chǔ)器塊連接到至少一個(gè)位線；以及第二存儲(chǔ)器塊，所述第二存儲(chǔ)器塊被配置為響應(yīng)于在所述第一存儲(chǔ)器塊的編程操作期間施加到串選擇線的導(dǎo)通電壓而將至少一個(gè)單元串連接到所述至少一個(gè)位線。
1.一種非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述行解碼器還被配置為在所述第一存儲(chǔ)器塊的所述編程操作期間向所述第二存儲(chǔ)器塊的所述字線提供斷開電壓，使得所述第二存儲(chǔ)器塊的存儲(chǔ)器單元被設(shè)置為斷開狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述第二存儲(chǔ)器塊的所述存儲(chǔ)器單元被編程為基于所述斷開電壓來(lái)維持所述斷開狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述第二存儲(chǔ)器塊的所述存儲(chǔ)器單元保持在擦除狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述行解碼器還被配置為根據(jù)在所述第一存儲(chǔ)器塊的所述編程操作期間的編程循環(huán)的數(shù)量來(lái)改變?cè)谒龅诙鎯?chǔ)器塊中被施加所述導(dǎo)通電壓的所述串選擇線的數(shù)量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述行解碼器還被配置為隨著所述編程循環(huán)的數(shù)量增加而減少被施加所述導(dǎo)通電壓的所述串選擇線的所述數(shù)量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述行解碼器還被配置為在所述第一存儲(chǔ)器塊的存儲(chǔ)器單元被編程為目標(biāo)編程狀態(tài)之后，將斷開電壓施加到所述第二存儲(chǔ)器塊的所述串選擇線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，還包括：
9.一種對(duì)非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備進(jìn)行編程的方法，所述方法包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括通過向所述第二存儲(chǔ)器塊的字線施加斷開電壓來(lái)將所述第二存儲(chǔ)器塊的存儲(chǔ)器單元維持在斷開狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述斷開電壓為0v。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，被設(shè)置為所述導(dǎo)通電壓的所述至少一個(gè)串選擇線的數(shù)量基于所述編程的編程循環(huán)的數(shù)量。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，被設(shè)置為所述導(dǎo)通電壓的所述至少一個(gè)串選擇線的所述數(shù)量隨著所述編程循環(huán)的數(shù)量增加而減小。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，被設(shè)置為所述導(dǎo)通電壓的所述至少一個(gè)串選擇線的數(shù)量基于所述第一存儲(chǔ)器塊的所述目標(biāo)存儲(chǔ)器單元被編程的閾值電壓。
16.一種非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，還包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述行解碼器還被配置為根據(jù)在所述編程操作期間的編程循環(huán)的數(shù)量來(lái)改變?cè)谒龅诙鎯?chǔ)器塊中被施加所述導(dǎo)通電壓的所述串選擇線的數(shù)量。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述行解碼器還被配置為隨著所述編程循環(huán)的數(shù)量增加而減少被施加所述導(dǎo)通電壓的所述串選擇線的所述數(shù)量。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述第二存儲(chǔ)器塊的所述存儲(chǔ)器單元處于擦除狀態(tài)，并且所述斷開電壓為0v。