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輻向取向永磁環(huán)的制備方法及其輻向取向裝置本發(fā)明涉及一種輻向取向永磁環(huán)的制備方法及設(shè)備，尤其是一種可以實現(xiàn)圓環(huán)狀磁體在任意高度的360°圓周上取向均勻性的方法和裝置。在電機領(lǐng)域，沿半徑或者直徑方向輻射取向的圓環(huán)狀磁體具有相當廣泛的應(yīng)用前景，相比較一定數(shù)量的圓環(huán)片組合具有無可比擬的優(yōu)勢...

一種室溫下制備晶態(tài)氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的方法本發(fā)明涉及制備晶態(tài)氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的方法。氧化銦是一種透明導(dǎo)電氧化物，已經(jīng)作為顯示器和太陽能電池的電極而被廣泛應(yīng)用實際生活。絕大多數(shù)的氧化銦薄膜制備于硬基底上，像玻璃和硅襯底。近些年，聚對苯二甲酸乙二酯（PET）等柔性基底因為具有良好的機...

一種薄膜晶體管、制備方法及相應(yīng)的液晶顯示器本發(fā)明涉及薄膜晶體管（ThinFilmTransistor，TFT）技術(shù)，特別涉及一種薄膜晶體管、制備方法及相應(yīng)的液晶顯示器。近年來，已經(jīng)出現(xiàn)了將由銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）和氧（O）組成的無定形氧化物半導(dǎo)體用于薄膜晶體管的溝道層的...

半導(dǎo)體器件示例實施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地，涉及包括二極管的半導(dǎo)體器件以及制造該半導(dǎo)體器件的方法。隨著半導(dǎo)體器件的集成度增大，會要求在小的區(qū)域中形成多個二極管。隨著二極管的尺寸減小，會降低包括二極管的半導(dǎo)體器件的電特性。例如，截止泄漏電流增大。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明構(gòu)思的示例...

按鍵及包括其的移動終端本發(fā)明涉及一種按鍵及包括其的移動終端。DOME片，即金屬彈片導(dǎo)電膜（Metaldomearray/DomeArray)，以最常見的DOME片為例，它是一塊包含金屬彈片的薄片、按照線路板上對應(yīng)的焊盤位置來安排每一個金屬彈片的位置，以及其他元器件來設(shè)置對應(yīng)的避空位...

螺旋節(jié)能燈燈管汞擴散裝置本發(fā)明涉及一種螺旋節(jié)能燈生產(chǎn)設(shè)備，具體涉及一種螺旋節(jié)能燈燈管汞擴散裝置。螺旋節(jié)能燈通電時，汞蒸氣被激發(fā)，激發(fā)后汞蒸氣被電離并發(fā)生相互運動與碰撞，高壓去掉后燈管內(nèi)汞蒸氣就可在市電電壓下維持電離導(dǎo)通，汞在電離導(dǎo)通的過程中會發(fā)出紫外線，紫外線照射燈管內(nèi)壁熒光粉便可...

非水電解質(zhì)二次電池用電極、非水電解質(zhì)二次電池及其制造方法本發(fā)明涉及能容易地生產(chǎn)、負荷特性和充放電循環(huán)特性優(yōu)異的非水電解質(zhì)二次電池用電極，使用其的非水電解質(zhì)二次電池以及非水電解質(zhì)二次電池的制造方法。鋰離子二次電池等非水電解質(zhì)二次電池由于具有能量密度高這樣的特征，因此廣泛用作手機、筆記...

一種提升光伏電池片并聯(lián)電阻的方法本發(fā)明屬于光伏領(lǐng)域。具體地，本發(fā)明涉及一種提升光伏電池片并聯(lián)電阻的方法。選擇性發(fā)射結(jié)(Selectedemitter，簡稱SE)電池制備技術(shù)是近年來逐步推廣的一種高效的光伏電池制備技術(shù)，其原理是采用電池正表面柵線區(qū)域重擴散（拓寬燒結(jié)窗口、降低接觸電阻...

有機EL顯示面板和有機EL顯示裝置本發(fā)明涉及使用了作為電發(fā)光元件的有機電致發(fā)光元件（以下稱為“有機EL元件”）的有機EL顯示面板和有機EL顯示裝置。近年來，使用有機半導(dǎo)體的各種功能元件的研究開發(fā)得到不斷地進展，作為代表性的功能元件，可列舉出有機EL元件。有機EL元件是電流驅(qū)動型的發(fā)...

有機EL顯示面板和有機EL顯示裝置本發(fā)明涉及使用了作為電發(fā)光元件的有機電致發(fā)光元件（以下稱為“有機EL元件”）的有機EL顯示面板和有機EL顯示裝置。近年來，使用有機半導(dǎo)體的各種功能元件的研究開發(fā)得到不斷地進展，作為代表性的功能元件，可列舉出有機EL元件。有機EL元件是電流驅(qū)動型的發(fā)...

一種IC芯片剝離裝置本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片的封裝，特別涉及一種IC芯片安全剝離裝置，用于在IC封裝技術(shù)的芯片組裝工藝中，從粘接有IC芯片的晶圓藍膜上頂起芯片。集成電路（IC）工業(yè)儼然是當今全球經(jīng)濟發(fā)展的高速增長點，是我國國民經(jīng)濟中最具活力的組成部分，是關(guān)乎國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的...

兩維聲光Q開關(guān)本發(fā)明涉及光學(xué)器件，尤其是一種傳輸射頻功率較大的水冷型聲光Q開關(guān)。聲光Q開關(guān)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于激光器中，是在激光腔內(nèi)起調(diào)Q作用的關(guān)鍵部件，它能迅速地把連續(xù)激光調(diào)Q成所需頻率的高功率脈沖激光，具有衍射效率高、關(guān)斷能力強、插入損耗小、重復(fù)頻率高、控制方便、性能穩(wěn)定可靠...

具有非線性光環(huán)路鏡的激光器本發(fā)明涉及一種具有激光諧振器的激光器，所述激光諧振器包括非線性光環(huán)路鏡(non-linearopticalloopmirror，NOLM)。NOLM用于引導(dǎo)反向傳播的激光脈沖部分，并用于使得反向傳播的激光脈沖部分在NOLM的出口點處互相干涉。在本發(fā)明的描述中，將術(shù)...

一種石墨烯/聚苯胺熱電薄膜的制備方法本發(fā)明涉及一種熱電薄膜的制備方法。熱電材料是熱電能量相互轉(zhuǎn)換的功能材料，其研究與發(fā)展至今已有將近兩百年的歷史。在經(jīng)歷了30年的低谷期后，伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，又再次進入了人們的視線。其按組成類型可分為無機和有機熱電材料兩大類。無機熱電材料(例如...

半導(dǎo)體器件及其制造方法相關(guān)申請的交叉參考本申請涉及以下于2011年7月7日提交的名稱為“In-SituDopingofArsenicforSourceandDrainEpitaxy(用于源極和漏極外延的原位砷摻雜)”的共同待決和普通轉(zhuǎn)讓的專利申請序列號13/178,294號，據(jù)此將該申請結(jié)合于此作...

船用帶開關(guān)插座本發(fā)明涉及帶開關(guān)插座，具體涉及船上用的船用帶開關(guān)插座，屬于電器制造。眾所周知，船在海上航行時，由于海上環(huán)境較為惡劣，潮濕度比較大，鹽霧腐蝕能力強，因此，對于船上用的船用帶開關(guān)插座要求相對比較高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、防水性好的船用...

用于設(shè)置在觸點支座上的插塞觸點本發(fā)明涉及一種用于設(shè)置在設(shè)有對應(yīng)觸點的觸點支座上的插塞觸點，包括第一接觸腿、支撐腿和連接腿，所述第一接觸腿導(dǎo)電地貼靠在對應(yīng)觸點的設(shè)置在觸點支座上側(cè)的第一接觸面上，所述支撐腿貼靠在觸點支座的下側(cè)上，所述連接腿使接觸腿設(shè)置在支撐腿上，接觸腿和/或支撐腿能夠彈簧彈性...

降低激光峰值退火工藝缺陷的方法本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件加工工藝中降低工藝缺陷的方法，尤其涉及一種降低激光峰值退火工藝缺陷的方法。目前，隨著CMOS半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展，相比過去，半導(dǎo)體器件的尺寸按照比例變得更小。而確保半導(dǎo)體器件尺寸向45納米、28納米或更低的技術(shù)代延伸的保障是依賴...

有機電致發(fā)光器件及其制備方法本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。有機電致發(fā)光器件由于具有廉價、清潔、可再生等優(yōu)點而得到了廣泛的應(yīng)用。由于機電致發(fā)光器件內(nèi)外折射率的差別，致使在機電致發(fā)光器件內(nèi)部發(fā)出的光只有小部分可以到達外部空氣被我們所利用，而大部分光則被關(guān)閉在機電致...

用于減少拐角圓化的具有光學(xué)鄰近度校正的切分拆分相關(guān)申請交叉參考本公開涉及2010年9月17日提交的、名稱為“DISSECTIONSPLITTINGWITHOPTICALPROXIMITYCORRECTIONANDMASKRULECHECKENFORCEMENT”(代理案號TSMC2010-0369...