本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。、隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的逐步發(fā)展,半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)遵循摩爾定律的發(fā)展趨勢(shì)不斷減小。為了適應(yīng)工藝節(jié)點(diǎn)的減小,不得不不斷縮短mosfet場效應(yīng)管的溝道長度。然而,隨著器件溝道長度的縮短,器件源極與漏極間的距離也隨之縮短,因此柵極對(duì)溝...