本發(fā)明的示例性實(shí)施例總體上涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，更具體地涉及存儲(chǔ)器單元和陣列結(jié)構(gòu)及相關(guān)工藝。
背景技術(shù)：
1、隨著電子電路的復(fù)雜度和密度不斷提高，存儲(chǔ)器的尺寸、復(fù)雜度和成本成為重要考慮因素。增加存儲(chǔ)器容量的一種方法是使用三維(3d)陣列結(jié)構(gòu)。然而，高性價(jià)比的3d陣列結(jié)構(gòu)尚未完全實(shí)現(xiàn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、在各種示例性實(shí)施例中，公開了三維(3d)存儲(chǔ)器單元、陣列結(jié)構(gòu)及相關(guān)工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明的各方面可應(yīng)用于形成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)。在另外實(shí)施例中，本發(fā)明的各方面可應(yīng)用于形成鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(fram)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)、相變存儲(chǔ)器(pcm)和磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)。在再另外實(shí)施例中，本發(fā)明的各方面可應(yīng)用于形成人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中被稱為“突觸(synapses)”的存儲(chǔ)器元件，以及任何其他存儲(chǔ)器應(yīng)用。
2、在一個(gè)示例性實(shí)施例中，提供了一種存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)，包括：垂直位元線；圍繞垂直位元線的第一部分的絕緣體；圍繞絕緣體和垂直位元線的第二部分的連續(xù)半導(dǎo)體層；和圍繞連續(xù)半導(dǎo)體層的導(dǎo)體材料的延伸部分。該存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)還包括：圍繞導(dǎo)體材料的延伸部分的第一介電層；圍繞第一介電層的第一導(dǎo)體層；圍繞第一導(dǎo)體層的第二導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層的頂表面上的第二介電層；在第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層的底表面上的第三介電層；在所述第二介電層的頂表面上的第一柵極；和在所述第三介電層的底表面上的第二柵極。
3、在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，提供了一種存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)，包括：垂直位元線；圍繞垂直位元線的第一部分的絕緣體；圍繞絕緣體和垂直位元線的第二部分的連續(xù)半導(dǎo)體層；圍繞連續(xù)半導(dǎo)體層的一部分的導(dǎo)體材料的延伸部分；在導(dǎo)體材料的延伸部分的頂表面上的第一介電層；在導(dǎo)體材料的延伸部分的底表面下的第二介電層；在第一介電層的頂表面上的第一導(dǎo)體層；和在第二介電層的底表面上的第二導(dǎo)體層。
4、根據(jù)以下詳細(xì)說(shuō)明、附圖和權(quán)利要求，本發(fā)明的示例性實(shí)施例的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。
1.一種存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)，包括：
2.一種存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)，包括：