本發(fā)明涉及顯示，尤其涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
1、薄膜晶體管(thin?film?transistor，tft)是在一般顯示屏中用于作為開關(guān)元件來控制像素工作的器件，其中薄膜晶體管根據(jù)其有源層的材料組成大致上可以分為非晶硅(a-si)薄膜晶體管和多晶硅(poly-si)薄膜晶體管兩種。
2、非晶硅薄膜晶體管具有成本低廉、制造過程相對簡單的優(yōu)勢成為大尺寸面板的設(shè)計主流。此外，相較于多晶硅，因為非晶硅可以在較低溫度下制造，使其更適用于一些便攜式設(shè)備中。然而，現(xiàn)行的非晶硅薄膜晶體管載流子遷移率較低，通常僅有0.2～0.5cm2/v×s，這樣的元件特性會導(dǎo)致產(chǎn)品應(yīng)用面上的限制性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法，用以解決上述問題。
2、本發(fā)明提出一種薄膜晶體管，包含柵極、絕緣層、有源層、源極以及漏極。絕緣層形成于所述柵極上。有源層形成于所述絕緣層上。源極形成于所述有源層的兩端部其中之一上。漏極形成于所述有源層的兩端部其中之另一上。所述有源層包含依序堆疊排列的第一半導(dǎo)體材料層、第二半導(dǎo)體材料層以及第三半導(dǎo)體材料層。所述第一半導(dǎo)體材料層形成于所述絕緣層上，并且具有有序排列的晶格結(jié)構(gòu)；所述第二半導(dǎo)體材料層形成于所述第一半導(dǎo)體材料層上，并且具有無序排列的晶格結(jié)構(gòu)；以及所述第三半導(dǎo)體材料層形成于所述第二半導(dǎo)體材料層的兩側(cè)上，具有無序排列的晶格結(jié)構(gòu)并摻雜有n型離子。所述第一半導(dǎo)體材料層和所述第二半導(dǎo)體材料層之間的界面上大致上不存在有半導(dǎo)體氧化物。
3、本發(fā)明提出一種薄膜晶體管，包含柵極、絕緣層、有源層、源極以及漏極。絕緣層形成于所述柵極上。有源層形成于所述絕緣層上。源極形成于所述有源層的兩端部其中之一上。漏極形成于所述有源層的兩端部其中之另一上。所述有源層包含依序堆疊排列的第一半導(dǎo)體材料層、第二半導(dǎo)體材料層以及第三半導(dǎo)體材料層。所述第一半導(dǎo)體材料層形成于所述絕緣層上，并且具有有序排列的晶格結(jié)構(gòu)；所述第二半導(dǎo)體材料層形成于所述第一半導(dǎo)體材料層上，并且具有無序排列的晶格結(jié)構(gòu)；以及所述第三半導(dǎo)體材料層形成于所述第二半導(dǎo)體材料層的兩側(cè)上，具有無序排列的晶格結(jié)構(gòu)并摻雜有n型離子。所述第一半導(dǎo)體材料層摻雜有3a族離子。
4、本發(fā)明提出一種薄膜晶體管的制造方法，包含以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于所述第一金屬層上的絕緣層；在所述絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜；對所述非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行熱處理，以使所述非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)換為第一半導(dǎo)體材料層；對所述第一半導(dǎo)體材料層進(jìn)行界面清除處理，以去除所述第一半導(dǎo)體材料層表面原生的半導(dǎo)體氧化物；在所述第一半導(dǎo)體材料層上形成第二及第三半導(dǎo)體材料層，以組成有源層；在所述有源層上形成第二金屬層；以及進(jìn)行蝕刻處理，以在溝道區(qū)暴露出第二半導(dǎo)體材料層，并且將所述第二金屬層分隔為源極和漏極。
5、在本發(fā)明一些實施例中，所述制造方法還包含以下步驟：在進(jìn)行所述熱處理前，對所述非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行離子注入，以將3a族離子注入所述非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜中。
6、本發(fā)明提出一種像素陣列基板，包含按上述的薄膜晶體管的制造方法所制作出的薄膜晶體管。
7、本發(fā)明提出一種顯示裝置，包含如上所述的像素陣列基板。
8、本發(fā)明提出一種薄膜晶體管的制造方法，包含以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于所述第一金屬層上的絕緣層；在所述絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜；對所述非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行離子注入，以將3a族離子注入所述非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜中；對注入有所述3a族離子的所述非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行熱處理，以使所述非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)換為第一半導(dǎo)體材料層；在所述第一半導(dǎo)體材料層上形成第二及第三半導(dǎo)體材料層，以組成有源層；在所述有源層上形成第二金屬層；以及進(jìn)行蝕刻處理，以在溝道區(qū)暴露出第二半導(dǎo)體材料層，并且將所述第二金屬層分隔為源極和漏極。
9、通過本發(fā)明所述的技術(shù)方案，本發(fā)明實施例所提出的薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法可以在薄膜晶體管的制作工藝中通過特定的界面清除處理，使有源層中的微晶或多晶硅層和非晶硅層之間大致上不存在有易于造成接合缺陷的半導(dǎo)體氧化物，進(jìn)而令有源層中的各層薄膜可以良好接合而不會存在有膜層剝落的問題，并且使得薄膜晶體管的載流子遷移率和開關(guān)比等元件特性可被有效地提升。此外，本發(fā)明實施例還提出通過在熱處理步驟前對有源層進(jìn)行離子注入的方式來提高薄膜晶體管的臨界電壓，使得成品可具有更佳良好的元件特性。
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包含：
2.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包含：
3.一種像素陣列基板，其特征在于，包含：
4.一種顯示裝置，其特征在于，包含：