本發(fā)明涉及慣性傳感器和電子部件。
背景技術(shù)：
1、以往，已知有具備具有腔室的基體、懸架于腔室內(nèi)的傳感器元件以及密封腔室的蓋體的傳感器器件。基體與蓋體借助接合材料而接合。對(duì)于接合材料，一直在謀求接合強(qiáng)度高、密封的長(zhǎng)期可靠性高。
2、例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了使用alge共晶作為接合材料。根據(jù)該文獻(xiàn)，alge共晶中的ge的濃度是均勻的，或者是距蓋體或基體的距離的函數(shù)。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：美國(guó)發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2010/0059835號(hào)說(shuō)明書(shū)
5、然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，基于接合材料的接合強(qiáng)度有可能降低。詳細(xì)而言，若ge根據(jù)距蓋體的距離而濃度降低，則在基體側(cè)無(wú)法實(shí)現(xiàn)alge共晶化，僅成為al層，接合強(qiáng)度有可能降低。另外，在共晶接合的情況下，由于來(lái)自傳感器元件的引出布線(xiàn)所引起的凹凸，難以在布線(xiàn)正上方設(shè)置共晶接合部，或者接合材料從接合區(qū)域溢出，有可能對(duì)傳感器元件造成影響。也就是說(shuō)，一直在謀求基體與蓋體的接合強(qiáng)度高且可靠性?xún)?yōu)異的慣性傳感器和電子部件。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)的一個(gè)方式所涉及的慣性傳感器是靜電電容變化型的慣性傳感器，具備：基體；蓋體；功能元件，其設(shè)于所述基體與所述蓋體之間；金屬共晶層，其在位于所述功能元件的周?chē)慕雍蠀^(qū)域中將所述基體和所述蓋體接合；多個(gè)布線(xiàn)，其穿過(guò)所述接合區(qū)域而與所述功能元件連接；以及虛設(shè)圖案，其在所述接合區(qū)域中以與所述布線(xiàn)相同的高度和所述金屬共晶層重疊地設(shè)置。
2、本申請(qǐng)的一個(gè)方式所涉及的電子部件具備：基體；蓋體；功能元件，其設(shè)于所述基體與所述蓋體之間；金屬共晶層，其在位于所述功能元件的周?chē)慕雍蠀^(qū)域中將所述基體和所述蓋體接合；多個(gè)布線(xiàn)，其穿過(guò)所述接合區(qū)域而與所述功能元件連接；以及虛設(shè)圖案，其在所述接合區(qū)域中以與所述布線(xiàn)相同的高度和所述金屬共晶層重疊地設(shè)置。
1.一種慣性傳感器，其是靜電電容變化型的慣性傳感器，具備：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的慣性傳感器，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的慣性傳感器，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的慣性傳感器，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的慣性傳感器，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的慣性傳感器，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的慣性傳感器，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的慣性傳感器，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的慣性傳感器，其中，
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的慣性傳感器，其中，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的慣性傳感器，其中，
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的慣性傳感器，其中，
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的慣性傳感器，其中，
14.一種電子部件，其具備：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子部件，其中，
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子部件，其中，
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子部件，其中，
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子部件，其中，
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電子部件，其中，
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子部件，其中，