本文中所公開的至少一些實施例大體上涉及存儲器裝置，且更特定來說(但不限于)感測存儲器單元的狀態(tài)而不需要對用于檢測存儲器單元是否已達(dá)到閾值的位線或其它存取線進行預(yù)充電的存儲器裝置。
背景技術(shù)：
1、存儲器裝置廣泛用于將信息存儲在各種電子裝置(例如計算機、無線通信裝置、相機、數(shù)字顯示器及類似者)中。通過對存儲器裝置的不同狀態(tài)進行編程來存儲信息。舉例來說，二進制裝置具有通常由邏輯“1”或邏輯“0”表示的兩個狀態(tài)。在其它系統(tǒng)中，可存儲多于兩個狀態(tài)。為了存取所存儲信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的所存儲狀態(tài)。為了存儲信息，電子裝置的組件可將狀態(tài)寫入或編程在存儲器裝置中。
2、存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)、動態(tài)ram(dram)、同步動態(tài)ram(sdram)、鐵電ram(feram)、磁性ram(mram)、電阻式ram(rram)、快閃存儲器、相變存儲器(pcm)及其它。存儲器裝置可為易失性或非易失性的。非易失性存儲器單元即使在不存在外部電源的情況下也可維持其存儲邏輯狀態(tài)達(dá)延長時間段。易失性存儲器單元可能隨著時間的推移丟失其存儲狀態(tài)，除非其由外部電源周期性地刷新。
3、存儲裝置是存儲器裝置的實例。典型計算機存儲裝置具有控制器，所述控制器從主機計算機接收數(shù)據(jù)存取請求且執(zhí)行編程計算任務(wù)以依可特定于配置在存儲裝置中的媒體及結(jié)構(gòu)的方式實施請求。在一個實例中，存儲器控制器管理存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)且與計算機裝置通信。在一些實例中，存儲器控制器用于在移動裝置或膝上型計算機中使用的固態(tài)驅(qū)動器中或用于在數(shù)碼相機中使用的媒體中。
4、固件可用于操作特定存儲裝置的存儲器控制器。在一個實例中，當(dāng)計算機系統(tǒng)或裝置從存儲器裝置讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫入到存儲器裝置時，其與存儲器控制器通信。
5、存儲器裝置通常將數(shù)據(jù)存儲在存儲器單元中。在一些情況下，存儲器單元展現(xiàn)非均勻、可變電氣特性，其可能起源于各種因素，包含統(tǒng)計過程變動、循環(huán)事件(例如，對存儲器單元的讀取或?qū)懭氩僮?或漂移(例如，硫?qū)倩锖辖鸬碾娮枳兓?等等。
6、在一個實例中，通過確定存儲一組數(shù)據(jù)(例如，碼字、頁面)的存儲器單元的讀取電壓(例如，閾值電壓的估計中值)來實行讀取所述一組數(shù)據(jù)。在一些情況下，存儲器裝置可包含布置成3d架構(gòu)的pcm單元陣列，例如用于存儲所述一組數(shù)據(jù)的交叉點架構(gòu)。交叉點架構(gòu)中的pcm單元可表示與第一組閾值電壓相關(guān)聯(lián)的第一邏輯狀態(tài)(例如，邏輯1、設(shè)置狀態(tài))，或與第二組閾值電壓相關(guān)聯(lián)的第二邏輯狀態(tài)(例如，邏輯0、復(fù)位狀態(tài))。在一些情況下，可使用編碼(例如，錯誤校正寫碼(ecc))來存儲數(shù)據(jù)以從存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)中的錯誤恢復(fù)數(shù)據(jù)。
7、對于電阻可變存儲器單元(例如，pcm單元)，可設(shè)置數(shù)個狀態(tài)(例如，電阻狀態(tài))中的一者。舉例來說，可將單電平單元(slc)編程到兩個狀態(tài)(例如，邏輯1或0)中的一者，這可取決于單元是編程到高于還是低于特定電平的電阻。作為額外實例，可將各個電阻可變存儲器單元編程到對應(yīng)于多個數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，10、01、00、11、111、101、100、1010、1111、0101、0001等)的多個不同狀態(tài)中的一者。此類單元可被稱為多狀態(tài)單元、多數(shù)字單元及/或多電平單元(mlc)。
8、可通過響應(yīng)于所施加訊問電壓而感測通過單元的電流來確定(例如，讀取)電阻可變存儲器單元的狀態(tài)?；趩卧碾娮瓒兓乃袦y電流可指示單元的狀態(tài)(例如，由單元存儲的二進制數(shù)據(jù))。編程電阻可變存儲器單元的電阻可隨時間漂移(例如，移位)。電阻漂移可導(dǎo)致電阻可變存儲器單元的錯誤感測(例如，確定單元處于與其所編程到的狀態(tài)不同的狀態(tài)，以及其它問題)。
9、舉例來說，可將pcm單元編程到復(fù)位狀態(tài)(非晶狀態(tài))或設(shè)置狀態(tài)(結(jié)晶狀態(tài))。復(fù)位脈沖(例如，用于將單元編程到復(fù)位狀態(tài)的脈沖)可包含在相對較短時間段內(nèi)施加到單元的相對較高電流脈沖，使得單元的相變材料熔化并快速冷卻，從而導(dǎo)致相對少量的結(jié)晶。相反，設(shè)置脈沖(例如，用于將單元編程到設(shè)置狀態(tài)的脈沖)可包含在相對較長時間間隔內(nèi)且以較慢淬火速度施加到單元的相對較低電流脈沖，這導(dǎo)致相變材料的結(jié)晶增加。
10、可將編程信號施加到選定存儲器單元以將單元編程到目標(biāo)狀態(tài)。可將讀取信號施加到選定存儲器單元以讀取單元(例如，確定單元的狀態(tài))。舉例來說，編程信號及讀取信號可為電流及/或電壓脈沖。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1.一種設(shè)備，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述檢測器是反相器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一及第二柵極電壓是同一斜變電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一及第二柵極電壓以同一速率斜變。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述供應(yīng)電壓具有第一極性，所述設(shè)備進一步包括將第二極性的供應(yīng)電壓提供到所述檢測器的第三晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述第三晶體管的第三柵極電壓的量值在所述感測期間以與所述第一及第二柵極電壓相同的速率斜變。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述第一及第二晶體管是n型，且所述第三晶體管是p型。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述存儲器陣列是交叉點陣列，所述位線是垂直延伸在半導(dǎo)體襯底上方的支柱，且所述存儲器單元是硫?qū)倩锎鎯ζ鲉卧?/p>
9.一種系統(tǒng)，其包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述感測電路系統(tǒng)經(jīng)配置以使用第一極性或相反第二極性感測所述第一存儲器單元，其中由所述控制器選擇所述第一或第二極性。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述感測電路系統(tǒng)包括反相器，且所述反相器的閾值電壓隨著所述斜坡電壓的量值增加而增加。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述第一存儲器單元的泄漏電流隨著所述存取線上的所述電壓增加而增加。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中：
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述偏壓電路系統(tǒng)使用第一極性的第一供應(yīng)電壓及相反第二極性的第二供應(yīng)電壓將電力供應(yīng)到所述感測電路系統(tǒng)，其中所述斜坡電壓控制所述第一及第二供應(yīng)電壓的量值。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述感測電路系統(tǒng)的檢測閾值以與所述斜坡電壓的所述量值的增加相同的速率增加。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中：
17.一種方法，其包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述檢測閾值的量值隨著所述柵極電壓的所述量值增加而增加。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進一步包括在所述感測操作期間限制通過所述存儲器單元的電流。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述至少一個存儲器單元是自選擇存儲器單元，且在所述感測操作期間跨所述存儲器單元施加的偏壓電壓的量值對應(yīng)于所述存儲器單元的閾值電壓。