本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。
背景技術(shù)：
1、隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的逐步發(fā)展，半導(dǎo)體工藝節(jié)點遵循摩爾定律的發(fā)展趨勢不斷減小。為了適應(yīng)工藝節(jié)點的減小，不得不不斷縮短mosfet場效應(yīng)管的溝道長度。然而，隨著器件溝道長度的縮短，器件源極與漏極間的距離也隨之縮短，因此柵極對溝道的控制能力變差，使得亞閾值漏電(subthreshold?leakage)現(xiàn)象，即所謂的短溝道效應(yīng)(sce：short-channel?effects)更容易發(fā)生。
2、因此，為了更好的適應(yīng)器件尺寸按比例縮小的要求，非平面mos晶體管應(yīng)運而生，例如全包圍柵極(gate-all-around，gaa)晶體管或鰭式場效應(yīng)管(finfet)。finfet中，柵極至少可以從兩側(cè)對超薄體(鰭部)進行控制，與平面mosfet器件相比柵對溝道的控制能力更強，能夠很好的抑制短溝道效應(yīng)；且finfet相對于其他器件，與現(xiàn)有集成電路制造具有更好的兼容性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明實施例解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，有利于進一步提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
2、為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括襯底以及凸立于所述襯底上的鰭部；對所述鰭部的表面進行第一熱處理；進行所述第一熱處理之后，對所述鰭部的表面進行清潔處理；進行所述清潔處理之后，在所述基底的頂部形成橫跨所述鰭部部分頂部和部分側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)；在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中形成源漏摻雜層。
3、可選的，對所述鰭部的表面進行第一熱處理的工藝包括加熱干燥工藝。
4、可選的，對所述鰭部的表面進行第一熱處理的工藝參數(shù)包括：加熱溫度范圍為100℃至1000℃；加熱時間范圍為0.1h至5h；工藝氣體包括n2和he中的一種或兩種。
5、可選的，對所述鰭部的表面進行清潔處理的步驟包括：對所述鰭部的表面進行清洗處理；進行所述清洗處理之后，對所述鰭部的表面進行干燥處理。
6、可選的，對所述鰭部的表面進行清洗處理的工藝包括濕法清洗工藝。
7、可選的，所述濕法清洗工藝包括采用的清洗液包括去離子水。
8、可選的，對所述鰭部的表面進行干燥處理的步驟包括：采用干燥劑對鰭部的表面進行干燥處理。
9、可選的，所述干燥劑包括異丙醇。
10、可選的，在進行所述清潔處理之后，在形成所述柵極結(jié)構(gòu)之前，還包括：對所述鰭部的表面進行第二熱處理。
11、可選的，對所述鰭部的表面進行第二熱處理的工藝包括加熱干燥工藝。
12、可選的，對所述鰭部的表面進行第二熱處理的工藝參數(shù)包括：加熱溫度范圍為100℃至200℃；加熱時間范圍為0.1h至1h；工藝氣體包括n2和he中的一種或兩種。
13、可選的，形成所述柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括：在所述基底的頂部形成覆蓋所述鰭部側(cè)壁和頂部的柵氧化層；在所述基底的頂部形成橫跨所述鰭部部分頂部和部分側(cè)壁的柵極層，所述柵極層覆蓋所述柵氧化層的部分頂部和部分側(cè)壁。
14、可選的，形成所述源漏摻雜層之后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：在所述基底頂部形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和源漏摻雜層頂部的層間介質(zhì)層；去除所述柵極結(jié)構(gòu)，在所述層間介質(zhì)層中形成柵極開口；在所述柵極開口中形成器件柵極結(jié)構(gòu)。
15、可選的，去除所述柵極結(jié)構(gòu)的工藝包括濕法刻蝕工藝。
16、可選的，所述濕法刻蝕工藝中采用的刻蝕溶液包括四甲基氫氧化銨。
17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：
18、本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，提供基底，所述基底包括襯底以及凸立于所述襯底上的鰭部，對所述鰭部的表面進行第一熱處理，進行所述第一熱處理之后，對所述鰭部的表面進行清潔處理，相較于形成鰭部之后直接對鰭部的表面進行清潔處理的方案，本發(fā)明實施例在對鰭部的表面進行清潔處理之前，先對鰭部的表面進行第一熱處理，用于釋放吸附在鰭部表面的h鍵，減小吸附在鰭部表面的h鍵數(shù)量，從而使鰭部的表面能夠保持親水性，在后續(xù)對所述鰭部的表面進行清潔處理的過程中，能夠降低水分子團(water?cluster)附著在鰭部表面的概率，相應(yīng)的，也就降低了因水分子團導(dǎo)致鰭部的表面出現(xiàn)疏松的氧化層的風險，在后續(xù)形成柵極結(jié)構(gòu)的過程中，降低了柵極結(jié)構(gòu)與鰭部的表面之間出現(xiàn)間隙的風險，從而提高了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述鰭部的表面進行第一熱處理的工藝包括加熱干燥工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述鰭部的表面進行第一熱處理的工藝參數(shù)包括：加熱溫度范圍為100℃至1000℃；加熱時間范圍為0.1h至5h；工藝氣體包括n2和he中的一種或兩種。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述鰭部的表面進行清潔處理的步驟包括：對所述鰭部的表面進行清洗處理；進行所述清洗處理之后，對所述鰭部的表面進行干燥處理。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述鰭部的表面進行清洗處理的工藝包括濕法清洗工藝。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述濕法清洗工藝包括采用的清洗液包括去離子水。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述鰭部的表面進行干燥處理的步驟包括：采用干燥劑對鰭部的表面進行干燥處理。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述干燥劑包括異丙醇。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在進行所述清潔處理之后，在形成所述柵極結(jié)構(gòu)之前，還包括：對所述鰭部的表面進行第二熱處理。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述鰭部的表面進行第二熱處理的工藝包括加熱干燥工藝。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述鰭部的表面進行第二熱處理的工藝參數(shù)包括：加熱溫度范圍為100℃至200℃；加熱時間范圍為0.1h至1h；工藝氣體包括n2和he中的一種或兩種。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括：在所述基底的頂部形成覆蓋所述鰭部側(cè)壁和頂部的柵氧化層；在所述基底的頂部形成橫跨所述鰭部部分頂部和部分側(cè)壁的柵極層，所述柵極層覆蓋所述柵氧化層的部分頂部和部分側(cè)壁。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述源漏摻雜層之后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：在所述基底頂部形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和源漏摻雜層頂部的層間介質(zhì)層；去除所述柵極結(jié)構(gòu)，在所述層間介質(zhì)層中形成柵極開口；在所述柵極開口中形成器件柵極結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，去除所述柵極結(jié)構(gòu)的工藝包括濕法刻蝕工藝。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝中采用的刻蝕溶液包括四甲基氫氧化銨。