本申請(qǐng)涉及傳感器，特別是涉及一種mems半導(dǎo)體器件和mems半導(dǎo)體器件的封裝方法。
背景技術(shù)：
1、mems傳感器是采用微電子和微機(jī)械加工技術(shù)制造出來(lái)的新型傳感器。然而，mems傳感器的芯片和焊盤(pán)在焊接過(guò)程中需要設(shè)置一定的安全距離，導(dǎo)致傳統(tǒng)的mems傳感器的體積較大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)的mems傳感器的體積較大的問(wèn)題，提供一種mems半導(dǎo)體器件和mems半導(dǎo)體器件的封裝方法。
2、根據(jù)本申請(qǐng)的第一方面，提供了一種mems半導(dǎo)體器件，包括：
3、基板；
4、芯片，設(shè)于所述基板；
5、圍架，設(shè)于所述基板設(shè)置所述芯片的一側(cè)，且圍繞所述芯片設(shè)置；以及
6、焊盤(pán)，設(shè)于所述圍架上；
7、其中，所述基板和所述圍架的其中之一設(shè)有插接孔，所述基板和所述圍架的其中之另一設(shè)有與所述插接孔相對(duì)應(yīng)的插接件；
8、所述mems半導(dǎo)體器件具有焊接狀態(tài)和封裝狀態(tài)；當(dāng)所述mems半導(dǎo)體器件處于所述焊接狀態(tài)時(shí)，所述插接件部分插接于所述插接孔，且所述焊盤(pán)和所述芯片之間在所述插接件的插接方向上具有預(yù)設(shè)距離；
9、所述插接件構(gòu)造為能夠在預(yù)設(shè)外力下，較所述焊接狀態(tài)更深入地插接于所述插接孔，以使所述mems半導(dǎo)體器件處于所述封裝狀態(tài)。
10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述插接孔包括相連通的第一孔段和第二孔段，沿平行于所述插接孔的軸線方向，所述第一孔段位于所述第二孔段的外側(cè)；
11、當(dāng)所述mems半導(dǎo)體器件處于所述焊接狀態(tài)時(shí)，所述插接件插接于所述第一孔段，且所述焊盤(pán)和所述芯片之間在所述插接件的插接方向上具有預(yù)設(shè)距離；
12、所述插接件構(gòu)造為能夠在所述預(yù)設(shè)外力下由所述第一孔段伸入至所述第二孔段，以完全插接于所述插接孔，而使所述mems半導(dǎo)體器件處于所述封裝狀態(tài)。
13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一孔段的孔徑大于所述第二孔段的孔徑，且沿所述第一孔段的徑向方向，所述插接件的最大尺寸大于所述第二孔段的孔徑，且小于或等于所述第一孔段的孔徑。
14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述插接件包括與所述第一孔段相適配的第一柱體段，以及與所述第二孔段相對(duì)應(yīng)的第二柱體段；
15、所述第二柱體段構(gòu)造為能夠在所述預(yù)設(shè)外力下形變而插接于所述第二孔段。
16、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二柱體段上設(shè)有沿所述第二柱體段的徑向凹陷設(shè)置的至少一縮徑槽。
17、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述至少一縮徑槽包括沿所述第二柱體段的軸線方向延伸設(shè)置的第一縮徑槽。
18、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述至少一縮徑槽還包括沿所述第二柱體段的周向方向延伸設(shè)置的第二縮徑槽。
19、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二縮徑槽具有沿所述第二柱體段的軸線方向間隔設(shè)置的第一槽沿和第二槽沿；
20、沿所述第二柱體段的軸線方向，所述第一縮徑槽的靠近所述第一柱體段的一端位于所述第一槽沿和所述第二槽沿之間。
21、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述mems半導(dǎo)體器件還包括蓋體，所述蓋體蓋設(shè)于所述圍架背離基板的一側(cè)，以與所述圍架和所述基板圍設(shè)出用于容納所述芯片和所述焊盤(pán)的容納空間。
22、根據(jù)本申請(qǐng)的第二方面，提供了一種mems半導(dǎo)體器件的封裝方法，對(duì)上述任一實(shí)施例所述的mems半導(dǎo)體器件進(jìn)行封裝，所述封裝方法包括：
23、使所述插接件部分插接于所述插接孔，且所述焊盤(pán)和所述芯片之間在所述插接件的插接方向上具有預(yù)設(shè)距離，并采用焊接方式使所述芯片和對(duì)應(yīng)的所述焊盤(pán)電連接；
24、施加預(yù)設(shè)外力至所述插接件，使所述插接件較所述焊接狀態(tài)更深入地插接于所述插接孔。
25、本申請(qǐng)的技術(shù)方案中，能夠先使mems半導(dǎo)體器件處于焊接狀態(tài)，此時(shí)插接件部分插接于插接孔，且焊盤(pán)和芯片之間在插接件的插接方向上具有預(yù)設(shè)距離，便于利用劈刀進(jìn)行引線鍵合，將芯片與對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)電連接，完成芯片與對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)之間的焊接后，然后使插接件在預(yù)設(shè)外力下較焊接狀態(tài)更深入地插接于插接孔，可使mems半導(dǎo)體器件處于封裝狀態(tài)，如此，利用該mems半導(dǎo)體器件，可使芯片與對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)電連接的同時(shí)，也可使mems半導(dǎo)體器件在插接件的插接方向上的占用尺寸較小，有利于減小mems半導(dǎo)體器件的體積，提高mems半導(dǎo)體器件的集成度。
1.一種mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述插接孔包括相連通的第一孔段和第二孔段，沿平行于所述插接孔的軸線方向，所述第一孔段位于所述第二孔段的外側(cè)；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一孔段的孔徑大于所述第二孔段的孔徑，且沿所述第一孔段的徑向方向，所述插接件的最大尺寸大于所述第二孔段的孔徑，且小于或等于所述第一孔段的孔徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述插接件包括與所述第一孔段相適配的第一柱體段，以及與所述第二孔段相對(duì)應(yīng)的第二柱體段；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二柱體段上設(shè)有沿所述第二柱體段的徑向凹陷設(shè)置的至少一縮徑槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述至少一縮徑槽包括沿所述第二柱體段的軸線方向延伸設(shè)置的第一縮徑槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述至少一縮徑槽還包括沿所述第二柱體段的周向方向延伸設(shè)置的第二縮徑槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二縮徑槽具有沿所述第二柱體段的軸線方向間隔設(shè)置的第一槽沿和第二槽沿；
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的mems半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述mems半導(dǎo)體器件還包括蓋體，所述蓋體蓋設(shè)于所述圍架背離基板的一側(cè)，以與所述圍架和所述基板圍設(shè)出用于容納所述芯片和所述焊盤(pán)的容納空間。
10.一種mems半導(dǎo)體器件的封裝方法，其特征在于，對(duì)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的mems半導(dǎo)體器件進(jìn)行封裝，所述封裝方法包括：