本申請涉及太陽能電池的制造，特別是涉及一種背接觸太陽能電池及其制造方法、光伏組件。
背景技術(shù)：
1、ibc電池（交叉背電極接觸電池，interdigitated?back?contact），是指正負(fù)金屬電極呈叉指狀方式排列在電池背光面的一種背結(jié)背接觸的太陽電池結(jié)構(gòu)，它的pn結(jié)位于電池的背面。其中，背結(jié)指的是pn結(jié)位于電池的背面。ibc電池以單晶硅為基體，pn結(jié)及金屬電極均位于電池背面，正面無金屬電極遮光，可以獲得較高的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)中，背接觸太陽能電池的雙面率和接收太陽光的面積還有待提升的問題，提供一種背接觸太陽能電池及其制造方法、光伏組件。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N背接觸太陽能電池，包括：
3、基底，具有相背設(shè)置的正面和背面，所述背面包括交替排布的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)均包括第一子區(qū)和第二子區(qū)；
4、第一摻雜半導(dǎo)體層，位于對應(yīng)的所述第一摻雜區(qū)上，所述第一摻雜半導(dǎo)體層內(nèi)具有第一摻雜元素；
5、第二摻雜半導(dǎo)體層，位于對應(yīng)的所述第二摻雜區(qū)上，所述第二摻雜半導(dǎo)體層內(nèi)具有與所述第一摻雜元素的導(dǎo)電類型不同的第二摻雜元素；
6、透明導(dǎo)電層，包括多個第一導(dǎo)電部和多個第二導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部位于所述第一摻雜半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且至少位于所述第一摻雜區(qū)的所述第一子區(qū)，所述第二導(dǎo)電部位于所述第二摻雜半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且至少位于所述第二摻雜區(qū)的所述第一子區(qū)；
7、第一電極，位于所述第一摻雜區(qū)的所述第一子區(qū)，且位于所述第一導(dǎo)電部遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)；
8、第二電極，位于所述第二摻雜區(qū)的所述第一子區(qū)，且位于所述第二導(dǎo)電部遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)；
9、第一隧穿層，位于所述基底與所述第一摻雜半導(dǎo)體層之間；
10、第一本征非晶硅層，位于所述基底與所述第二摻雜半導(dǎo)體層之間；
11、其中，所述第一本征非晶硅層與相鄰的所述第一摻雜半導(dǎo)體層接觸。
12、在一些實施方式中，還包括：
13、第一減反層，包括多個第一減反部，所述第一減反部設(shè)于所述第一摻雜半導(dǎo)體層和所述第二摻雜半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且位于所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的所述第二子區(qū)。
14、在一些實施方式中，所述第一導(dǎo)電部和所述第二導(dǎo)電部均與相鄰的所述第一減反部接觸設(shè)置。
15、在一些實施方式中，所述透明導(dǎo)電層的厚度為60納米至90納米；和/或，
16、所述第一減反層的厚度為60納米至90納米。
17、在一些實施方式中，所述透明導(dǎo)電層的材料包括：氧化銦錫、氧化銦鎢、氧化鋅鋁、鈦摻雜氧化銦和摻氟氧化錫中至少一種；和/或，
18、所述第一減反層的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中至少一種。
19、在一些實施方式中，所述第一本征非晶硅層與相鄰的所述第一隧穿層接觸。
20、在一些實施方式中，所述第一隧穿層的厚度為0.5納米至2納米；和/或，
21、所述第一本征非晶硅層的厚度為4納米至10納米。
22、第二方面，本申請還提供了一種背接觸太陽能電池的制造方法，包括：
23、提供基底，所述基底具有相背設(shè)置的正面和背面，所述背面包括交替排布的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)均包括第一子區(qū)和第二子區(qū)；
24、在所述背面形成第一隧穿層的預(yù)設(shè)材料膜層；
25、在所述第一摻雜區(qū)形成第一摻雜半導(dǎo)體層，所述第一隧穿層的預(yù)設(shè)材料膜層形成所述第一隧穿層，所述第一摻雜半導(dǎo)體層內(nèi)具有第一摻雜元素，所述第一隧穿層位于所述基底與所述第一摻雜半導(dǎo)體層之間；
26、在所述背面形成第一本征非晶硅層的預(yù)設(shè)材料膜層；
27、在所述第二摻雜區(qū)形成第二摻雜半導(dǎo)體層，所述第一本征非晶硅層的預(yù)設(shè)材料膜層形成所述第一本征非晶硅層，所述第二摻雜半導(dǎo)體層內(nèi)具有與所述第一摻雜元素的導(dǎo)電類型不同的第二摻雜元素，所述第一本征非晶硅層位于所述基底與所述第二摻雜半導(dǎo)體層之間，其中，所述第一本征非晶硅層與相鄰的所述第一摻雜半導(dǎo)體層接觸；
28、在所述第一摻雜半導(dǎo)體層和所述第二摻雜半導(dǎo)體層背離基底的一側(cè)形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括多個第一導(dǎo)電部和多個第二導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部位于所述第一摻雜半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且至少位于所述第一摻雜區(qū)的所述第一子區(qū)，所述第二導(dǎo)電部位于所述第二摻雜半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且至少位于所述第二摻雜區(qū)的所述第一子區(qū)；
29、在所述第一導(dǎo)電部遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)形成第一電極；
30、在所述第二導(dǎo)電部遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)形成第二電極。
31、在一些實施方式中，還包括：
32、在所述第一摻雜半導(dǎo)體層和所述第二摻雜半導(dǎo)體層背離基底的一側(cè)形成第一減反層，所述第一減反層包括多個第一減反部，所述第一減反部設(shè)于所述第一摻雜半導(dǎo)體層和所述第二摻雜半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且位于所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的所述第二子區(qū)。
33、在一些實施方式中，所述在所述第一摻雜半導(dǎo)體層和所述第二摻雜半導(dǎo)體層背離基底的一側(cè)形成第一減反層的步驟中，所述第一導(dǎo)電部和所述第二導(dǎo)電部均與相鄰的所述第一減反部接觸設(shè)置。
34、第三方面，本申請還提供了一種光伏組件，包括：
35、電池串，由多個如上述中任一項所述的背接觸太陽能電池或者如上述中任一項所述的制造方法所制造的背接觸太陽能電池連接而成；
36、連接部件，用于電連接相鄰的兩個背接觸太陽能電池；
37、封裝膠膜，用于覆蓋所述電池串的表面；
38、蓋板，用于覆蓋所述封裝膠膜背離所述電池串的表面。
39、在本申請實施例中，在平行于基底所在平面的方向上，第一本征非晶硅層的端面與相鄰的第一摻雜半導(dǎo)體層接觸，可以提升第一本征非晶硅層的面積和/或第一摻雜半導(dǎo)體層的面積，提升了背面接收太陽光的面積，從而可以提升太陽能電池的雙面率。
1.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，
8.一種背接觸太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背接觸太陽能電池的制造方法，其特征在于，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背接觸太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述在所述第一摻雜半導(dǎo)體層和所述第二摻雜半導(dǎo)體層背離基底的一側(cè)形成第一減反層的步驟中，所述第一導(dǎo)電部和所述第二導(dǎo)電部均與相鄰的所述第一減反部接觸設(shè)置。
11.一種光伏組件，其特征在于，包括：