本公開涉及紅外探測器，尤其涉及一種紅外探測模組的制備方法、紅外探測器。
背景技術(shù)：
1、3d微機電系統(tǒng)（micro-electro-mechanical?system，mems）紅外探測器為通過晶圓級封裝（wafer-level?packaging，wlp）工藝制備的具備紅外探測能力的微型器件，具有探測單元密度較高、封裝體積較小、散熱效率較高的優(yōu)點。
2、3d?mems紅外探測器中，器件層的厚度相對較薄，使得在3d?mems紅外探測器的垂直封裝過程中，器件層易受相關(guān)工藝的影響而發(fā)生變形。為此，在相關(guān)技術(shù)中，3d?mems紅外探測器的制備過程中，會通過臨時鍵合（temporary?bonding）層，在器件層的一側(cè)連接臨時基板，臨時基板用于為器件層提供機械支撐作用，并在完成最終封裝后，去除臨時基板與臨時鍵合層。
3、然而，一些情況下，3d?mems紅外探測器的制備過程包括一些高溫工藝，例如，用于實現(xiàn)垂直封裝的鍵合層的形成工藝，在此情況下，臨時鍵合層易受高溫工藝影響而不穩(wěn)定，導(dǎo)致封裝過程中的可靠性有所降低。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開的一些實施例提供了一種紅外探測模組的制備方法、紅外探測器，用于解決臨時鍵合層易受高溫工藝影響而不穩(wěn)定的問題。
2、第一方面，提供了一種紅外探測模組的制備方法。所述紅外探測模組的制備方法包括：形成基底；在基底的第一側(cè)連接第一臨時鍵合層與第一臨時基底，第一臨時鍵合層位于基底與第一臨時基底之間；在第一溫度條件下，在基底的第二側(cè)形成第一鍵合層，基底的第二側(cè)與基底的第一側(cè)相對，第一溫度小于第一鍵合層的熔點；以及，對第一臨時鍵合層進行加熱，以解除基底和第一臨時基底的連接。其中，第一臨時鍵合層的熔點，大于第一溫度，且小于第一鍵合層的熔點。
3、可以理解地，一方面，通過第一臨時鍵合層的熔點大于第一溫度的設(shè)置，可以使第一臨時鍵合層的熔點相對較高，這樣一來，一是能夠使第一溫度條件下第一臨時鍵合層不發(fā)生熔化或失效，進而避免在高溫工藝條件下第一臨時鍵合層發(fā)生脫落或損壞；二是能夠提升第一臨時鍵合層的穩(wěn)定性，使封裝過程中的可靠性得到提升，并確保了設(shè)備的穩(wěn)定性。
4、另一方面，通過第一臨時鍵合層的熔點小于第一鍵合層的熔點的設(shè)置，可以使第一臨時鍵合層的熔點相比第一鍵合層熔點較低，這樣一來，能夠使對第一臨時鍵合層進行加熱的過程中，第一鍵合層不易發(fā)生熔化或失效，使加熱過程不會影響封裝結(jié)構(gòu)的完整性，實現(xiàn)了第一臨時鍵合層的可控去除，能夠提高封裝工藝的可控性和可重復(fù)性。
5、而且，通過第一臨時鍵合層的熔點小于第一鍵合層的熔點的設(shè)置，可以在保證第一臨時鍵合層的穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上，使第一臨時鍵合層的熔點相對較低，如此，能夠使形成第一臨時鍵合層的溫度相對較低，以避免形成第一臨時鍵合層的溫度條件對其他結(jié)構(gòu)的影響；并使第一臨時鍵合層能夠通過加熱處理的方式去除。
6、可選的，第一臨時鍵合層的熔點，與第一溫度的差值大于或等于60℃；和/或，第一鍵合層的熔點，與第一臨時鍵合層的熔點的差值大于或等于200℃。
7、可選的，第一鍵合層包括第一合金，第一合金包括第一金屬和第二金屬；第一金屬的熔點大于第二金屬的熔點；第一溫度大于第二金屬的熔點，且小于第一金屬的熔點。
8、可選的，第一金屬的熔點與第二金屬的熔點之間的差值，大于或等于100℃。
9、可選的，第一鍵合層采用瞬態(tài)液相鍵合工藝而形成。
10、可選的，在基底的第二側(cè)形成第一鍵合層，包括：在基底的第二側(cè)形成第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層與第二金屬層沿基底的厚度方向堆疊；第一金屬層包括第一金屬；第二金屬層包括第二金屬；以及，在第一溫度條件下，采用瞬態(tài)液相鍵合工藝，使第一金屬層與第二金屬層轉(zhuǎn)化為第一鍵合層，第一鍵合層包括第一合金，第一合金包括第一金屬和第二金屬。
11、可選的，第一臨時鍵合層采用共晶焊工藝而形成。
12、可選的，在基底的第一側(cè)連接第一臨時鍵合層與第一臨時基底，包括：在基底的第一側(cè)的表面，和/或，第一臨時基底的朝向基底的表面，形成共晶合金層；以及，采用熱壓工藝，使共晶合金層轉(zhuǎn)化為第一臨時鍵合層，并使基底與第一臨時基底通過第一臨時鍵合層連接。
13、可選的，在基底的第一側(cè)連接第一臨時鍵合層與第一臨時基底之前，所述制備方法還包括：在基底的第二側(cè)連接第二臨時鍵合層和第二臨時基底，第二臨時鍵合層相比第二臨時基底靠近所述基底。在基底的第一側(cè)連接第一臨時鍵合層與第一臨時基底之后，所述制備方法還包括：采用解鍵合工藝，去除第二臨時鍵合層和第二臨時基底；其中，第一臨時鍵合層的熔點，大于解鍵合工藝的工藝溫度。
14、可選的，在基底的第二側(cè)連接第二臨時鍵合層和第二臨時基底之后，基底的第一側(cè)連接第一臨時鍵合層與第一臨時基底之前，所述制備方法還包括：從基底的第一側(cè)，減薄基底；和/或，從基底的第一側(cè)，形成貫穿基底的接觸結(jié)構(gòu)。
15、可選的，在基底的第二側(cè)連接第二臨時鍵合層和第二臨時基底之前，所述制備方法還包括：在基底的第二側(cè)形成像元結(jié)構(gòu)；以及，在像元結(jié)構(gòu)的遠離基底一側(cè)形成保護層，保護層覆蓋像元結(jié)構(gòu)；保護層設(shè)于像元結(jié)構(gòu)與待形成的第二臨時鍵合層之間。在去除第二臨時鍵合層和第二臨時基底之后，在基底的第二側(cè)形成第一鍵合層之前，所述制備方法還包括：在第二溫度條件下，去除保護層。其中，第一臨時鍵合層的熔點大于第二溫度。
16、可選的，紅外探測模組還包括：墊高層，設(shè)于基底的第二側(cè)?；椎谋畴x第一臨時鍵合層的表面與墊高層，通過第一鍵合層連接。在基底的第二側(cè)形成第一鍵合層之后，對第一臨時鍵合層進行加熱之前，所述制備方法還包括：在第三溫度條件下，在墊高層的遠離基底的一側(cè)連接第二鍵合層和光窗層，第二鍵合層位于光窗層與墊高層之間。其中，第一臨時鍵合層的熔點，大于第三溫度，且小于第二鍵合層的熔點。
17、可選的，第三溫度的范圍為180℃~250℃；和/或，第二鍵合層的熔點的范圍為400℃~500℃。
18、可選的，第一臨時鍵合層的熔點的范圍為250℃~300℃；和/或，第一溫度的范圍為180℃~250℃；和/或，第一鍵合層的熔點的范圍為400℃~500℃。
19、第二方面，提供了一種紅外探測器。所述紅外探測器包括電路板和紅外探測模組，紅外探測模組與電路板耦接。紅外探測模組采用上述技術(shù)方案所提供的紅外探測模組的制備方法制備得到。
20、本公開的一些實施例提供的紅外探測器所能實現(xiàn)的有益效果，與上述技術(shù)方案提供的紅外探測模組的制備方法所能達到的有益效果相同，在此不再贅述。
1.一種紅外探測模組的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，所述第一臨時鍵合層的熔點，與所述第一溫度的差值大于或等于60℃；和/或，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，所述第一鍵合層包括第一合金，所述第一合金包括第一金屬和第二金屬；所述第一金屬的熔點大于所述第二金屬的熔點；所述第一溫度大于所述第二金屬的熔點，且小于所述第一金屬的熔點。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，所述第一金屬的熔點與所述第二金屬的熔點之間的差值，大于或等于100℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，所述第一鍵合層采用瞬態(tài)液相鍵合工藝而形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，在所述基底的第二側(cè)形成第一鍵合層，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，所述第一臨時鍵合層采用共晶焊工藝而形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，在所述基底的第一側(cè)連接第一臨時鍵合層與第一臨時基底，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，在所述基底的第一側(cè)連接第一臨時鍵合層與第一臨時基底之前，所述制備方法還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，在所述基底的第二側(cè)連接第二臨時鍵合層和第二臨時基底之后，所述基底的第一側(cè)連接第一臨時鍵合層與第一臨時基底之前，所述制備方法還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，在所述基底的第二側(cè)連接第二臨時鍵合層和第二臨時基底之前，所述制備方法還包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，所述紅外探測模組還包括：墊高層，設(shè)于所述基底的第二側(cè)；
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，所述第三溫度的范圍為180℃~250℃；和/或，
14.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項所述的紅外探測模組的制備方法，其特征在于，所述第一臨時鍵合層的熔點的范圍為250℃~300℃；和/或，
15.一種紅外探測器，其特征在于，包括電路板和紅外探測模組，所述紅外探測模組與所述電路板耦接；所述紅外探測模組采用如權(quán)利要求1~14中任一項所述的紅外探測模組的制備方法制備得到。