本發(fā)明涉及射頻芯片，特別涉及射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1、隨著芯片集成度不斷提高，對(duì)集成電路的封裝要求更加嚴(yán)格，芯片與pcb之間的許多重要功能，諸如保護(hù)、支撐、散熱等，都由封裝基板來承擔(dān)。一般的基板只是簡單地通過走線在芯片和pcb之間傳輸電信號(hào)（包括射頻信號(hào)、電源信號(hào)）。出于成本考慮，走線通常采用微帶線的形式，并且射頻信號(hào)和電源信號(hào)之間僅僅簡單采用射頻地來隔開。在低頻應(yīng)用中，這樣的方案不會(huì)引起明顯的電磁耦合問題，但是在毫米波封裝基板中采用微帶走線，相鄰走線之間會(huì)形成射頻信號(hào)與電源信號(hào)的互相干擾，使通道之間隔離度惡化，影響控制狀態(tài)和射頻性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，解決芯片封裝中微帶線之間射頻信號(hào)和電源信號(hào)的串?dāng)_的技術(shù)問題。
2、本發(fā)明的實(shí)施方式公開了一種射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：
3、基板，所述基板包括多個(gè)導(dǎo)電層，相鄰導(dǎo)電層之間為介質(zhì)層，所述導(dǎo)電層包括介質(zhì)材料以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層中具有過孔，所述過孔的兩端連接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；
4、所述基板的表面具有射頻焊盤和電源焊盤，所述射頻焊盤上具有射頻連接柱和電源連接柱，所述射頻連接柱用于與射頻芯片電連接，所述電源連接柱用于與電源電連接；
5、第一屏蔽結(jié)構(gòu)，包括位于所述射頻芯片與所述基板之間的至少一個(gè)接地連接柱，并且所述射頻連接柱與所述電源連接柱之間具有至少一個(gè)所述接地連接柱；和/或
6、第二屏蔽結(jié)構(gòu)，包括頂層的所述導(dǎo)電層中接地的第一導(dǎo)電區(qū)域，所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述射頻連接柱、電源連接柱之間的區(qū)域，且與所述射頻連接柱、電源連接柱之間通過介質(zhì)材料絕緣。
7、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述射頻連接柱與所述電源連接柱之間的距離大于300um。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述第二屏蔽結(jié)構(gòu)還包括在具有射頻傳輸線的所述導(dǎo)電層中接地的第二導(dǎo)電區(qū)域，所述第二導(dǎo)電區(qū)域包圍所述射頻傳輸線，不同的所述射頻傳輸線通過不同的所述第二導(dǎo)電區(qū)域包圍。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述射頻傳輸線通過與其連接的第一連接柱與所述射頻焊盤連接、與其連接的第二連接柱與基板底部的pcb焊盤連接；
8、所述pcb焊盤位于基板的邊緣，所述第二連接柱與所述pcb焊盤部分或完全重疊。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述第二屏蔽結(jié)構(gòu)還包括在具有過孔的至少一所述導(dǎo)電層中接地的第三導(dǎo)電區(qū)域，所述第三導(dǎo)電區(qū)域包圍所述過孔；
9、和/或，
10、位于至少其中之一所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所在層的所述第三導(dǎo)電區(qū)域，所述第三導(dǎo)電區(qū)域包圍所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，位于上下層關(guān)系的第二導(dǎo)電區(qū)域、第三導(dǎo)電區(qū)域上下完全重疊。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電層包括至少兩層電源傳輸線層，所述電源傳輸線層中的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括電源傳輸線，用于電源信號(hào)的傳遞；
11、所述第二屏蔽結(jié)構(gòu)還包括接地導(dǎo)電層，位于相鄰的所述電源傳輸線層之間，所述接地導(dǎo)電層整層為導(dǎo)電材料。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述射頻芯片為毫米波射頻芯片。
12、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，還包括：位于所述基板的底層的pcb焊盤、pcb板；
13、所述pcb板的表面具有連接焊盤，所述連接焊盤連接所述pcb焊盤，；
14、所述連接焊盤與所述pcb焊盤部分或完全交疊。
15、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，?所述pcb板內(nèi)具有pcb過孔，所述連接焊盤與所述pcb過孔連接；
16、所述連接焊盤包括：與所述pcb焊盤連接的pin焊盤，與所述pcb過孔連接的過渡焊盤；所述pin焊盤與所述過渡焊盤為一體結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述pin焊盤為所述過渡焊盤的一部分。
17、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述接地連接柱為多個(gè)，并且多個(gè)所述接地連接柱環(huán)繞所述射頻連接柱。
18、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述接地連接柱的數(shù)量不少于4。
19、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述接地連接柱的數(shù)量為7。
20、本發(fā)明實(shí)施方式與現(xiàn)有技術(shù)相比，主要區(qū)別及其效果在于：
21、在本發(fā)明中，第一屏蔽結(jié)構(gòu)包括位于射頻芯片與基板之間的至少一個(gè)接地連接柱，并且一個(gè)接地連接柱位于射頻連接柱與電源連接柱之間；提升了射頻芯片和封裝基板的連接結(jié)構(gòu)上的射頻連接柱和電源連接柱之間的隔離度，減少射頻和電源之間的干擾。
22、在本發(fā)明中，第二屏蔽結(jié)構(gòu)包括頂層的導(dǎo)電層中接地的第一導(dǎo)電區(qū)域，使得在頂層的導(dǎo)電層內(nèi)，射頻焊盤與電源焊盤之間不存在不穿越第一導(dǎo)電區(qū)域的連通路徑；提升了同層射頻焊盤和電源焊盤之間的隔離度，減少射頻和電源之間的干擾。
23、在本發(fā)明中，第二屏蔽結(jié)構(gòu)還包括接地的導(dǎo)電層，位于不同的具有電源傳輸線的導(dǎo)電層之間；提升了不同的具有電源傳輸線的導(dǎo)電層之間的隔離度，減少不同電源之間的干擾。
24、在本發(fā)明中，第二屏蔽結(jié)構(gòu)還包括在具有射頻傳輸線的導(dǎo)電層中接地的第二導(dǎo)電區(qū)域，第二導(dǎo)電區(qū)域包圍射頻傳輸線；形成了對(duì)射頻傳輸線的電磁屏蔽，減少不同射頻通道之間的干擾。
25、在本發(fā)明中，第二屏蔽結(jié)構(gòu)還包括在具有過孔的導(dǎo)電層中接地的第三導(dǎo)電區(qū)域，第三導(dǎo)電區(qū)域包圍過孔；形成了對(duì)過孔的電磁屏蔽，減少通過過孔的不同射頻通道之間的干擾。
26、在本發(fā)明中，pin焊盤與過渡焊盤部分或完全交疊；減少pin口處的電磁泄漏和干擾，提升射頻端口隔離度。
1.一種射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述射頻連接柱與所述電源連接柱之間的距離大于300um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二屏蔽結(jié)構(gòu)還包括在具有射頻傳輸線的所述導(dǎo)電層中接地的第二導(dǎo)電區(qū)域，所述第二導(dǎo)電區(qū)域包圍所述射頻傳輸線，不同的所述射頻傳輸線通過不同的所述第二導(dǎo)電區(qū)域包圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述射頻傳輸線通過與其連接的第一連接柱與所述射頻焊盤連接、與其連接的第二連接柱與基板底部的pcb焊盤連接；
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二屏蔽結(jié)構(gòu)還包括在具有過孔的至少一所述導(dǎo)電層中接地的第三導(dǎo)電區(qū)域，所述第三導(dǎo)電區(qū)域包圍所述過孔；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于上下層關(guān)系的第二導(dǎo)電區(qū)域、第三導(dǎo)電區(qū)域上下完全重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層包括至少兩層電源傳輸線層，所述電源傳輸線層中的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括電源傳輸線，用于電源信號(hào)的傳遞；
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述射頻芯片為毫米波射頻芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述基板的底層的pcb焊盤、pcb板；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，?所述pcb板內(nèi)具有pcb過孔，所述連接焊盤與所述pcb過孔連接；
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述pin焊盤為所述過渡焊盤的一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接地連接柱為多個(gè)，并且多個(gè)所述接地連接柱環(huán)繞所述射頻連接柱。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接地連接柱的數(shù)量不少于4。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接地連接柱的數(shù)量為7。