本公開案的實(shí)施例大致涉及薄膜制造技術(shù)。
背景技術(shù)：
1、集成電路及其他微電子裝置的制造包括填充在基板中或基板上形成的特征的處理。源極及漏極區(qū)域的接觸以及金屬柵極的接觸的尺寸隨著時(shí)間的推移而急劇減小，并且持續(xù)減小。發(fā)明人已經(jīng)觀察到，半導(dǎo)體裝置中的接觸電阻隨著接觸及特征尺寸的減小而急劇增加，并且填充此類特征的傳統(tǒng)方法可能產(chǎn)生不可接受的高電阻。
2、發(fā)明人進(jìn)一步觀察到，在某些下層頂上沉積低電阻率金屬在某些應(yīng)用中可能具有不期望的增加的電阻率。舉例來說，氮化鈦(tin)通常使用作為介于下層電介質(zhì)層(例如氧化硅)及待沉積在阻擋層頂上的金屬材料之間的阻擋層。發(fā)明人觀察到，沉積鎢(其通常是可用于接觸、通孔及/或溝槽應(yīng)用的低電阻率金屬)當(dāng)沉積在氮化鈦(tin)下層上時(shí)顯示出顯著更高的體電阻率。
3、因此，發(fā)明人發(fā)展出改進(jìn)的技術(shù)，以在下層頂上沉積具有改進(jìn)的體電阻率的導(dǎo)電材料。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本案提供了用于處理基板的方法及設(shè)備。在一些實(shí)施例中，一種方法包括：在基板上的第一層頂上沉積非晶介層，其中第一層是含金屬層；以及在非晶介層頂上沉積金屬層。
2、在一些實(shí)施例中，提供了一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，其上儲(chǔ)存有指令，當(dāng)執(zhí)行時(shí)，導(dǎo)致實(shí)行一種方法，方法包含本文所公開的任何實(shí)施例。
3、在一些實(shí)施例中，一種用于處理基板的系統(tǒng)包括：非晶介層沉積腔室，配置為在基板上的第一層頂上沉積非晶介層，其中第一層是含金屬層；及金屬層沉積腔室，配置為在非晶介層頂上沉積金屬層。在一些實(shí)施例中，非晶介層沉積腔室及金屬層沉積腔室是配置成在不破壞真空的情況下在非晶介層頂上沉積金屬層的整合工具的一部分。在一些實(shí)施例中，整合工具還可進(jìn)一步包括沉積腔室，配置成將第一層沉積在基板的電介質(zhì)層頂上且在電介質(zhì)層中所形成的特征之中。
4、以下描述本公開案的其他及進(jìn)一步的實(shí)施例。
1.一種用于處理基板的方法，包含以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層為沉積于特征之中的阻擋層，所述特征部分形成于所述基板上的電介質(zhì)層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非晶介層為硼、硅或硅化鎢層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板包括形成于所述第一層中的特征，且所述非晶介層在所述第一層頂上沉積且沿著所述特征的側(cè)壁及底部沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層為氮化鈦層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述非晶介層為硼、硅或硅化鎢層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其中所述非晶介層沉積至一個(gè)原子層至約5納米的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其中所述非晶介層沉積至一個(gè)原子層至約10埃的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其中所述非晶介層及所述金屬層依序沉積而不破壞真空。
10.一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體，具有指令儲(chǔ)存于其上，當(dāng)執(zhí)行時(shí)，造成實(shí)行用于處理基板的方法，所述方法包含以下步驟：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體，其中所述非晶介層為硼、硅或硅化鎢層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體，其中所述基板包括形成于所述第一層中的特征，且所述非晶介層在所述第一層頂上沉積且沿著所述特征的側(cè)壁及底部沉積。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體，其中所述第一層為氮化鈦層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體，其中所述非晶介層為硼、硅或硅化鎢層。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至14任一項(xiàng)所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體，其中所述非晶介層沉積至一個(gè)原子層至約5納米的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求10至14任一項(xiàng)所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體，其中所述非晶介層沉積至一個(gè)原子層至約10埃的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求10至14任一項(xiàng)所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體，其中所述非晶介層及所述金屬層依序沉積而不破壞真空。
18.一種用于處理基板的系統(tǒng)，包含：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述非晶介層沉積腔室及所述金屬層沉積腔室為整合工具的一部分，所述整合工具被配置以在所述非晶介層頂上沉積所述金屬層而不破壞真空。
20.根據(jù)權(quán)利要求18至19任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含：