本申請屬于電解制氫領(lǐng)域，尤其涉及一種電解制氫設(shè)備與制氫系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、相關(guān)技術(shù)中的電解制氫設(shè)備存在各電解小室流量分配不均勻的問題，尤其隨著科技的進步，電解制氫設(shè)備的電解小室數(shù)量逐漸增多，各電解小室流量分配不均勻的問題更加嚴重，影響電解制氫設(shè)備的整體性能。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本申請?zhí)岢鲆环N電解制氫設(shè)備與制氫系統(tǒng)，能夠提高各電解小室流量分配的均勻性。

2、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N電解制氫設(shè)備，包括：

3、多個極板組件，多個所述極板組件順次層疊形成多個間隔開的電解小室；

4、多個進液通道，至少兩個所述電解小室與不同的所述進液通道連通。

5、根據(jù)本申請實施例提供的電解制氫設(shè)備，通過設(shè)置多個進液通道，多個電解小室中至少有兩個電解小室與多個進液通道中的一個進液通道連通，多個電解小室中另一部分電解小室與多個進液通道中的其他進液通道連通，從而減少了每個進液通道上連通的電解小室的數(shù)量，提高了進液通道的出液均勻性，提高流量分配的均勻性。

6、根據(jù)本申請的一個實施例，多個所述電解小室分為多組，多組所述電解小室與多個所述進液通道一一對應地連通，且任意相鄰的兩個所述電解小室在不同組。

7、根據(jù)本申請的一個實施例，同一組內(nèi)相鄰的兩個所述電解小室之間的所述極板組件的數(shù)量相等。

8、根據(jù)本申請的一個實施例，對于任一組所述電解小室，組內(nèi)相鄰的兩個所述電解小室之間的所述極板組件的數(shù)量與另一組內(nèi)相鄰的兩個所述電解小室之間的所述極板組件的數(shù)量相等。

9、根據(jù)本申請的一個實施例，滿足：l＝(n-1)l1+nl2；其中，l為同一組內(nèi)相鄰的兩個所述電解小室之間的距離，l1為電解小室的厚度，l2為墊片厚度，n為所述電解小室的組數(shù)。

10、根據(jù)本申請的一個實施例，同一所述進液通道的出液口之間的距離大于相鄰所述電解小室之間的距離。

11、根據(jù)本申請的一個實施例，所述極板組件包括：

12、極板；

13、環(huán)繞于所述極板外的極框，所述極框設(shè)有多組子通道，多個所述極板組件對應的所述子通道形成所述進液通道，所述多組子通道中的一組與自身所在的所述極板組件對應的電解小室連通。

14、根據(jù)本申請的一個實施例，所述極框還設(shè)有缺口，所述多組子通道中的一組通過所述缺口與自身所在的所述極板組件對應的電解小室連通。

15、根據(jù)本申請的一個實施例，同一組所述極框的所述缺口設(shè)置位置相同，不同組所述極框的所述缺口設(shè)置位置不同。

16、根據(jù)本申請的一個實施例，所述極框包括兩個所述缺口，所述兩個缺口當中的一個與氫側(cè)所述多組子通道中的一個連通，所述兩個缺口當中的另一個與氧側(cè)所述多組子通道中的一個連通。

17、第二方面，本申請還提供了一種制氫系統(tǒng)，包括：如上述中任一項所述的電解制氫設(shè)備。

18、根據(jù)本申請實施例提供的制氫系統(tǒng)，設(shè)置有電解制氫設(shè)備，電解制氫設(shè)備通過設(shè)置多個進液通道，多個電解小室中至少有兩個電解小室與多個進液通道中的一個進液通道連通，多個電解小室中另一部分電解小室與多個進液通道中的其他進液通道連通，從而減少了每個進液通道上連通的電解小室的數(shù)量，提高了進液通道的出液均勻性，提高流量分配的均勻性。

19、本申請的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種電解制氫設(shè)備，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解制氫設(shè)備，其特征在于，多個所述電解小室分為多組，多組所述電解小室與多個所述進液通道一一對應地連通，且任意相鄰的兩個所述電解小室在不同組。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電解制氫設(shè)備，其特征在于，同一組內(nèi)相鄰的兩個所述電解小室之間的所述極板組件的數(shù)量相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電解制氫設(shè)備，其特征在于，對于任一組所述電解小室，組內(nèi)相鄰的兩個所述電解小室之間的所述極板組件的數(shù)量與另一組內(nèi)相鄰的兩個所述電解小室之間的所述極板組件的數(shù)量相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電解制氫設(shè)備，其特征在于，滿足：l＝(n-1)l1+nl2；其中，l為同一組內(nèi)相鄰的兩個所述電解小室之間的距離，l1為電解小室的厚度，l2為墊片厚度，n為所述電解小室的組數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解制氫設(shè)備，其特征在于，同一所述進液通道的出液口之間的距離大于相鄰所述電解小室之間的距離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的電解制氫設(shè)備，其特征在于，所述極板組件包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電解制氫設(shè)備，其特征在于，所述極框還設(shè)有缺口，所述多組子通道中的一組通過所述缺口與自身所在的所述極板組件對應的電解小室連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電解制氫設(shè)備，其特征在于，同一組所述極框的所述缺口設(shè)置位置相同，不同組所述極框的所述缺口設(shè)置位置不同。

10.一種制氫系統(tǒng)，其特征在于，包括：如上述權(quán)利要求1-9中任一項所述的電解制氫設(shè)備。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種電解制氫設(shè)備與制氫系統(tǒng)，屬于電解制氫領(lǐng)域。所述電解制氫設(shè)備包括多個極板組件和多個進液通道，多個所述極板組件順次層疊形成多個間隔開的電解小室；至少兩個所述電解小室與不同的所述進液通道連通。本申請減少了每個進液通道上連通的電解小室的數(shù)量，提高了進液通道的出液均勻性，提高流量分配的均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：王立,葉志烜,李超峰,康凱
受保護的技術(shù)使用者：陽光氫能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240924
技術(shù)公布日：2025/7/28